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    MT4LC8M8P4DJ-5 参数 Datasheet PDF下载

    MT4LC8M8P4DJ-5图片预览
    型号： MT4LC8M8P4DJ-5
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： DRAM [DRAM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 22 页 / 397 K
    品牌： MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
     浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第10页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第11页浏览型号MT4LC8M8P4DJ-5的Datasheet PDF文件第12页  
    8 MEG ×8
    EDO DRAM
    AC电气特性
    （注：5， 6，7， 8，9， 10，11， 12）， （Ⅴ
    CC
    = +3.3V ±0.3V)
    AC特性
    参数
    OE ＃安装过程中隐藏刷新周期之前， RAS ＃
    EDO -页面模式读取或写入周期时间
    EDO -PAGE -MODE读 - 写周期时间
    从RAS ＃访问时间
    RAS ＃到列地址的延迟时间
    行地址保持时间
    RAS ＃脉冲宽度
    RAS ＃脉冲宽度（ EDO页模式）
    在自刷新RAS ＃脉冲宽度
    随机读或写周期时间
    RAS ＃到CAS ＃延迟时间
    READ命令保持时间（参考CAS ＃ ）
    READ命令设置时间
    刷新周期
    刷新周期（ 2048个循环）的“S”版本
    RAS ＃预充电时间
    RAS ＃到CAS ＃预充电时间
    RAS ＃预充电时间退出自刷新
    READ命令保持时间（参考RAS ＃ ）
    RAS ＃保持时间
    读 - 写周期时间
    RAS ＃到WE＃延迟时间
    写命令RAS ＃交货时间
    转换时间（上升或下降）
    写命令保持时间
    写命令保持时间（参考RAS ＃ ）
    WE＃命令设置时间
    WE＃高Z到输出
    WRITE命令的脉冲宽度
    WE＃脉冲宽度来禁用输出
    WE＃保持时间（ CBR刷新）
    WE＃建立时间（ CBR刷新）
    -5
    符号
    t
    ORD
    t
    PC
    t
    PRWC
    t
    RAC
    t
    拉德
    t
    RAH
    t
    RAS
    t
    RASP
    t
    RASS
    t
    RC
    t
    RCD
    t
    RCH
    t
    RCS
    t
    REF
    t
    REF
    t
    RP
    t
    RPC
    t
    RPS
    t
    RRH
    t
    RSH
    t
    RWC
    t
    RWD
    t
    RWL
    t
    T
    t
    WCH
    t
    WCR
    t
    WCS
    t
    WHZ
    t
    WP
    t
    WPZ
    t
    WRH
    t
    WRP
    民
    0
    20
    47
    9
    9
    50
    50
    100
    84
    11
    0
    0
    最大
    民
    0
    25
    56
    12
    10
    60
    60
    100
    104
    14
    0
    0
    -6
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    µs
    ns
    ns
    ns
    ns
    ms
    ms
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    笔记
    50
    60
    15
    10,000
    125,000
    10,000
    125,000
    14
    16
    23
    64
    128
    30
    5
    90
    0
    13
    116
    67
    13
    2
    8
    38
    0
    5
    10
    8
    8
    40
    5
    105
    0
    15
    140
    79
    15
    2
    10
    45
    0
    5
    10
    10
    10
    64
    128
    16
    18
    50
    50
    18
    12
    15
    8梅格×8 EDO DRAM
    D20_2.p65 - 修订版5/00
    8
    美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
    © 2000年，美光科技公司

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