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MT55L256L36P 参数 Datasheet PDF下载

MT55L256L36P图片预览
型号: MT55L256L36P
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内容描述: 8MB ZBT SRAM [8Mb ZBT SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 495 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36
PIPELINED ZBT SRAM
FBGA引脚说明(续)
x18
8B
8A
x32/x36
8B
8A
符号
OE #
(G#)
ADV / LD #
TYPE
输入
输入
描述
输出使能:此低电平有效,异步输入使
数据I / O输出驱动器。
同步地址前进/负载:高电平时,此输入用于
推进内部突发计数器,控制后突发存取
外部地址被加载。当ADV / LD #为高电平时, R / W #是
忽略不计。一个低电平ADV / LD #时钟在CLK的新地址崛起
边缘。
模式:输入选择的突发序列。的低电平输入
选择“线性爆裂。 ”NC或HIGH此输入选择“交错
爆了。 “不要改变,而设备运行输入状态。
1R
1R
模式
( LBO # )
DQA
输入
(a)
10J , 10K ,
10L ,10M, 11D
11E , 11F , 11G
(b)
2D , 2E , 2F ,
2G , 1J , 1K ,
1L , 1M
(a)
10J , 10K ,
10L ,10M, 11J ,
11K , 11L , 11M
(b)
10D,10E ,
10F ,10G ,11D ,
11E , 11F , 11G
(c)
图1D ,1E, 1F,
1G, 2D,2E,
2F , 2G ,
(d)
1J , 1K , 1L ,
1M , 2J , 2K ,
2L , 2M
11N
11C
1C
1N
DQB
输入/ SRAM数据I / O的:对于×18版,字节“a”被关联
输出DQA的;字节“b”被用DQB的关联。对于X32和X36
版本中,字节“a”被用DQA的相关联;字节“b”被关联
与DQB的;字节“c”的与DQC的相关联;字节“ d”被关联
与DQD的。输入数据必须满足建立和保持周围的时代
上升CLK的边缘。
DQC
DQD
11C
1N
NF / DQPa
NF / DQPb
NF / DQPc
NF / DQPd
V
DD
NF /
I / O
无功能/奇偶校验数据的I / O :在X32版本,这些都是无
功能( NF ) 。在X18版本,字节“是”平价DQPa ;字节“b”的
平价DQPb 。在X36版本,字节“是”平价DQPa ;字节
“B”平价DQPb ;字节“ C”平价DQPc ;字节“ D”平价DQPd 。
1H, 2H ,4D
1H, 2H ,4D
4E , 4F , 4G , 4H , 4E , 4F , 4G , 4H ,
4J ,4K, 4L ,4M, 4J ,4K, 4L ,4M,
7N , 8D , 8E , 8F , 7N , 8D , 8E , 8F ,
8G ,8H, 8J ,
8G ,8H, 8J ,
8K , 8L , 8M
8K , 8L , 8M
图3C ,3D,3E ,3F ,3C, 3D,3E ,3F ,
3G, 3J ,3K, 3L ,3G, 3J ,3K, 3L,
3M, 3N ,9C
3M, 3N ,9C
9D , 9E , 9F ,
9D , 9E , 9F ,
9G , 9J , 9K ,
9G , 9J , 9K ,
9L , 9M , 9N
9L , 9M , 9N
供电电源:见DC电气特性和操作
条件范围内。
V
DD
Q
供应隔离输出缓冲器供应:见直流电气特性和
工作条件范围内。
(接下页)
8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36流水线ZBT SRAM
MT55L512L18P_2.p65 - 修订版6/01
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