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MT55L256L36P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT55L256L36P
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内容描述: 8MB ZBT SRAM [8Mb ZBT SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 495 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36
PIPELINED ZBT SRAM
TQFP引脚说明(续)
x18
88
x32/x36
88
符号类型
R / W #
输入
描述
读/写:此输入确定的周期型时,
ADV / LD #是低电平,并且用于确定唯一的手段
读取和写入。读周期可能不会转化成
写操作(反之亦然)以外装入新
地址。的低电平引脚允许字节写操作
且必须满足的建立和保持周围的上升时间
CLK的边缘。全总线宽度写道发生,如果所有写字节
使低。
模式输入模式:该输入选择突发序列。一个低电平
( LBO # )
该引脚选择线性爆裂。 NC或HIGH这个引脚选择
交错爆裂。不改变输入状态,而设备
操作。 LBO #是符合JEDEC标准的术语模式。
DQA
输入/ SRAM数据的I / O :字节“是”与DQA引脚相关;
输出字节“b”被用DQB标签相关联;字节“ c”是
DQB
与DQC引脚相关;字节“ d”被关联
DQD引脚。输入数据必须满足建立和保持时间
DQC
围绕CLK的上升沿。
DQD
NF / DQPa NF /
NF / DQPb I / O
NF / DQPc
NF / DQPd
V
DD
供应
V
DD
Q
V
SS
供应
供应
无功能/数据位:在X32版本,这些引脚
无功能( NF ),并可以悬空或者连接到
GND ,以减少热阻抗。在X36的版本,
这些位是DQPs 。
电源:见直流电气特性和
工作条件范围内。
隔离输出缓冲器供应:见DC电气
特点和工作条件范围内。
接地:接地。
31
31
(a)
58, 59, 62, 63,
68, 69, 72-74
(b)
8, 9, 12, 13,
18, 19, 22-24
不适用
14, 15, 16, 41, 65,
66, 91
4, 11, 20, 27,
54, 61, 70, 77
5, 10, 17, 21,
26, 40, 55, 60,
67, 71, 76, 90
1-3, 6, 7, 25,
28-30, 51-53, 56,
57, 75, 78, 79,
95, 96
38, 39, 42, 43
84
(a)
52, 53, 56-59,
62, 63
(b)
68, 69, 72-75,
78, 79
(c)
2, 3, 6-9,
12, 13
(d)
18, 19, 22-25,
28, 29
51
80
1
30
14, 15, 16, 41, 65,
66, 91
4, 11, 20, 27,
54, 61, 70, 77
5, 10, 17, 21,
26, 40, 55, 60,
67, 71, 76, 90
不适用
NC
无连接:这些引脚可以悬空或者连接
到GND ,以减少热阻抗。
38, 39, 42, 43
84
DNU
NF
不要使用:这些信号可以是未连接或
连接到GND ,以减少热阻抗。
无功能:该引脚内部连接到芯片和
将有一个输入管脚的电容。这是允许的,以
离开这个引脚悬空或通过信号驱动。销84是
保留作为地址引脚为18MB ZBT SRAM 。
8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36流水线ZBT SRAM
MT55L512L18P_2.p65 - 修订版6/01
7
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