8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36
PIPELINED ， SCD SYNCBURST SRAM
FBGA引脚说明（续）
x18
图3C ，3D，3E ，
3F，3G ， 3J，
3K， 3L ，3M，
3N ，9C， 9D ，
9E ， 9F ， 9G ，
9J ， 9K ， 9L ，
9M ， 9N
x32/x36
图3C ，3D，3E ，
3F，3G ， 3J，
3K， 3L ，3M，
3N ，9C， 9D ，
9E ， 9F ， 9G ，
9J ， 9K ， 9L ，
9M ， 9N
符号
V
DD
Q
TYPE
描述
供应隔离输出缓冲器供应：见直流电气特性和
工作条件范围内。
2H ，4C， 4N ，5C ，2H ，4C， 4N ，5C，
5D ， 5E 5F ，
5D ， 5E 5F ，
5G ， 5H ， 5J ，
5G ， 5H ， 5J ，
5K ， 5L ， 5M ，
5K ， 5L ， 5M ，
图6C ，6D， 6E ，6F ，6C，6D ，6E ，6F ，
6G ， 6H ， 6J ，
6G ， 6H ， 6J ，
6K， 6L ，6M，
6K， 6L ，6M，
7C，7D ，7E，
7C，7D ，7E，
7F ， 7G ， 7H ，
7F ， 7G ， 7H ，
7J ， 7K ， 7L ，
7J ， 7K ， 7L ，
7M， 7N ，8C， 8N 7M， 7N ，8C， 8N
5P ， 5R ， 7P ， 7R 5P ， 5R ， 7P ， 7R
图1A ，1B，1C ，
图1A ，1B， 1P ，
图1D ，1E， 1F，
2C ， 2N ，
1G， 1P ，2C
2P ，2R， 3H，
2J ，2K， 2L，
5N， 6N， 9H，
2M ，2N ，2P，
10C， 10H，
2R， 3H ，4B
10N ，11A，
5A ， 5N ， 6N ，
11B
9H， 10C，10D，
10E ， 10F ，
10G， 10H，
10N ，11B
11J ， 11K ，
11L ，11M，
11N
V
SS
供应地：GND 。
DNU
NC
–
–
不要使用：这些信号可以是未连接或连接到
GND提高封装的散热。
无连接：这些信号没有内部连接，并
可被连接到地，以改善封装的散热
耗散。销6N预留地址引脚扩展; 18MB 。
NF
—
无功能：这些引脚内部连接到芯片和
有一个输入管脚的电容。它允许离开
这些引脚悬空或通过信号驱动。
8MB ： 512K ×18 ， 256K X 32/36流水线， SCD SyncBurst SRAM
MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02
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