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MT58L256L32P 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MT58L256L32P
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内容描述: 8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36流水线, SCD SyncBurst SRAM [8Mb: 512K x 18, 256K x 32/36 PIPELINED, SCD SYNCBURST SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 391 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36
PIPELINED , SCD SYNCBURST SRAM
TQFP引脚说明(续)
x18
84
x32/x36
84
符号
ADSP #
TYPE
输入
描述
同步地址状态的处理器:此低电平输入
中断任何正在进行的破灭,导致了新的外部地址是
注册。使用新的地址,独立执行读取
字节写使能和ADSC # ,而是依赖于CE # , CE2的
和CE2 # 。如果CE#为高电平ADSP #被忽略。掉电状态
如果输入的CE2为低或CE2 #高。
同步地址状态控制器:此低电平输入
中断任何正在进行的破灭,导致了新的外部地址是
注册。读或写时使用新的地址,如果执行
CE #为低。 ADSC #也可用于放置芯片进入掉电
状态时, CE #为高电平。
模式:输入选择的突发序列。的低电平引脚
选择“线性爆裂。 ”NC或高该引脚上选择“交错
爆了。 “不要改变,而设备运行输入状态。
85
85
ADSC #
输入
31
31
模式
输入
(a) 58, 59,
(a) 52, 53,
62, 63, 68, 69, 56-59, 62, 63
72, 73
(b) 8, 9, 12,
(b) 68, 69
13, 18, 19, 22, 72-75, 78, 79
23
(c) 2, 3, 6-9,
12, 13
(d) 18, 19,
22-25, 28, 29
74
24
51
80
1
30
DQA
DQB
输入/ SRAM数据I / O的:对于×18版,字节“a”是DQA的引脚;字节“b”的
输出DQB引脚。对于X32和X36版本,字节“a”是DQA引脚;
字节“ B”是DQB引脚;字节“ c”是DQC销;字节“d”是DQD引脚。
输入数据必须满足建立和保持周围的上升沿时间
的CLK 。
DQC
DQD
NF / DQPa
NF / DQPb
NF / DQPc
NF / DQPd
V
DD
V
DD
Q
V
SS
NF /
I / O
无功能/奇偶校验数据的I / O :在X32版本,这些引脚都
功能( NF ) 。在X18版本,字节“是”平价DQPa ;字节“b”的
平价DQPb 。在X36版本,字节“是”平价DQPa ;字节“b”的
平价DQPb ;字节“ C”平价DQPc ;字节“ D”平价DQPd 。
14, 15, 41, 65, 14, 15, 41, 65,
91
91
4, 11, 20, 27, 4, 11, 20, 27,
54, 61, 70, 77 54, 61, 70, 77
5, 10, 17, 21, 5, 10, 17, 21,
26, 40, 55, 60, 26, 40, 55, 60,
67, 71, 76, 90 67, 71, 76, 90
38, 39
1-3, 6, 7,
16, 25, 28-30,
51-53, 56, 57,
66, 75, 78, 79,
95, 96
38, 39
16, 66
供电电源:见DC电气特性和操作
条件范围内。
供应隔离输出缓冲器供应:见直流电气特性和
工作条件范围内。
供应地:GND 。
DNU
NC
不要使用:这些信号可以是未连接或连接到
GND提高封装的散热。
无连接:这些信号没有内部连接,可以是
连接到地,以改善封装的散热性。
42
42
43 (T版) 43 (T版)
NF
无功能:这些引脚内部连接到芯片和
有一个输入管脚的电容。它允许离开这些
引脚悬空或通过信号驱动。在S版本,引脚42是
保留作为用于18MB SyncBurst SRAM中一个地址升级销。
8MB : 512K ×18 , 256K X 32/36流水线, SCD SyncBurst SRAM
MT58L512L18P_C.p65 - 修订版2/02
8
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