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    N25Q128A11B1241F 参数 Datasheet PDF下载

    N25Q128A11B1241F图片预览
    型号： N25Q128A11B1241F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128兆位， 1.8 V ，多个I / O ， 4 KB的界别分组擦除引导扇区， XIP启用，串行闪存与108 MHz的SPI总线接口 [128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 185 页 / 5874 K
    品牌： MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
     浏览型号N25Q128A11B1241F的Datasheet PDF文件第98页浏览型号N25Q128A11B1241F的Datasheet PDF文件第99页浏览型号N25Q128A11B1241F的Datasheet PDF文件第100页浏览型号N25Q128A11B1241F的Datasheet PDF文件第101页浏览型号N25Q128A11B1241F的Datasheet PDF文件第103页浏览型号N25Q128A11B1241F的Datasheet PDF文件第104页浏览型号N25Q128A11B1241F的Datasheet PDF文件第105页浏览型号N25Q128A11B1241F的Datasheet PDF文件第106页  
    说明
    N25Q128 - 1.8 V
    9.1.22
    读状态寄存器（ RDSR ）
    读状态寄存器（ RDSR ）指令允许状态寄存器进行读取。该
    状态寄存器可在任何时候读取，即使在一个程序，擦除或写入状态
    注册周期正在进行中。当这些周期中的一个正在进行中，则建议
    检查写在制品（WIP ）位（或编程/擦除的标志状态的控制位
    寄存器）发送新的指令发送到设备之前。另外，也可以对读出的
    状态不断注册，如下图所示。
    图30.读状态寄存器指令序列
    S
    0
    C
    指令
    DQ0
    状态寄存器输出
    高阻抗
    DQ1
    7
    最高位
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    7
    最高位
    AI13734
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9 10 11 12 13 14 15
    状态寄存器输出
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    7
    9.1.23
    写状态寄存器（ WRSR ）
    写状态寄存器（ WRSR）指令允许新的值写入到状态
    注册。才可以被接受，一个写使能（ WREN）指令必须事先有
    被执行死刑。后写使能（ WREN）指令被译码和执行，
    该设备设置写使能锁存器（ WEL ） 。
    写状态寄存器（ WRSR ）指令是由驱动芯片选择（S ）低输入，
    其次是指令码和串行数据输入（ DQ0 ）的数据字节。
    写状态寄存器（ WRSR ）指令的状态，对B1没有影响， B0
    注册。
    芯片选择（ S）必须驱动高之后的数据字节的第八位被锁存英寸
    如果不是，不执行写入状态寄存器（ WRSR）指令。当片选
    （S ）为高，自定时写状态寄存器周期（其持续时间TOW）是
    发起。而写入状态寄存器周期正在进行中，状态寄存器仍可能
    读来检查正在进行中（ WIP ）位写的值。正在写（ WIP ）位为1
    在自定时写状态寄存器周期，并且是0时，它被完成。当
    周期完成时，写入使能锁存器（ WEL）被复位。
    写状态寄存器（ WRSR ）指令允许用户改变的值
    块保护（ BP3 ，BP2 ，BP1，BP0 ）位，以确定要被处理的区域的大小
    为只读，如在表3中所述的写状态寄存器（ WRSR）指令也允许
    根据用户设置和复位状态寄存器写禁止（ SRWD ）位
    写保护（W / VPP ）的信号。状态寄存器写入禁止（ SRWD ）位和写保护
    （W / VPP）的信号允许该设备被放置在硬件保护模式（HPM ） 。写
    102/185

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