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N25Q128A11B1241F 参数 Datasheet PDF下载

N25Q128A11B1241F图片预览

型号：	N25Q128A11B1241F
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	128兆位， 1.8 V ，多个I / O ， 4 KB的界别分组擦除引导扇区， XIP启用，串行闪存与108 MHz的SPI总线接口 [128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	185 页 / 5874 K
品牌：	MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]

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N25Q128 - 1.8 V

图28.扇区擦除指令序列

S

0

C

指令

24位地址

1

2

3

4

5

6

7

8

9

29 30 31

说明

DQ0

23 22

最高位

2

1

0

Sector_Erase

9.1.19

批量擦除（ BE ）

批量擦除（ BE ）指令集所有位为“1” （ FFH ）。才可以被接受，一个写

使能（WREN ）指令必须先前已被执行死刑。之后，写使能

（ WREN ）指令被解码时，设备将写使能锁存器（ WEL ）。

批量擦除（ BE）指令，通过驱动芯片选择（S ）低输入，后面是

在串行数据输入（ DQ0 ）指令代码。芯片选择（S ）必须驱动为低

该序列的整个持续时间。

芯片选择（ S）必须驱动为高电平后的指令代码第八位已

锁存，否则不执行批量擦除指令。当片选（ S）

被驱动为高电平，自定时批量擦除周期（其持续时间TBE ）开始。而

批量擦除周期正在进行时，状态寄存器可以读出检查的值

写在制品（WIP ）位。自定时批量期间在制品（WIP ）位写1

擦除周期，并且是0时，它被完成。在一些未指定的时间之前的周期是

完成后，写使能锁存器（ WEL ）位复位。

批量擦除（ BE ）指令只有当所有块保护（ BP3 ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）

位都为0的批量擦除（BE ）指令时，如果一个或更多的扇区被保护忽略。

图29.批量擦除指令序列

S

0

C

指令

DQ0

1

2

3

4

5

6

7

AI13743

99/185

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