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N25Q128A11B1241F 参数 Datasheet PDF下载

N25Q128A11B1241F图片预览

型号：	N25Q128A11B1241F
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	128兆位， 1.8 V ，多个I / O ， 4 KB的界别分组擦除引导扇区， XIP启用，串行闪存与108 MHz的SPI总线接口 [128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	185 页 / 5874 K
品牌：	MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]

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说明

N25Q128 - 1.8 V

当片选（ S）为高，自定时写NV配置寄存器

周期（其持续时间tnvcr ）被启动。

而写入非易失性配置寄存器周期正在进行中，所以能够

监控过程中通过查询状态寄存器年底写在制品（WIP ）位或

标志状态寄存器编程/擦除控制位。正在写（ WIP ）位为1

在自定时写非易失性配置寄存器的周期，并且是0时，它是

完成。当循环结束时，写使能锁存器（ WEL）被复位。

写入非易失性配置寄存器（ WRNVCR ）指令允许用户

改变所有的非易失性配置寄存器位的值，在描述

表4 ：

非易失性配置寄存器。

只有在写入非易失性配置寄存器影响记忆行为

下一个上电序列。

图37.写NV配置寄存器指令序列

S

0

C

指令

字节

DQ0

高阻抗

DQ1

Write_NVCR

1

2

3

4

5

6

7

8

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24

NVCR在

字节

3

2

1

0 15 14 13 12 11 10 9

MS字节

8

7

6

5

4

LS字节

9.1.30

阅读挥发性配置寄存器

读出的挥发性配置寄存器（ RDVCR ）指令允许挥发

配置寄存器进行读取。看

表6 ：挥发性配置寄存器。

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