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N25Q128A11B1241F 参数 Datasheet PDF下载

N25Q128A11B1241F图片预览
型号: N25Q128A11B1241F
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内容描述: 128兆位, 1.8 V ,多个I / O , 4 KB的界别分组擦除引导扇区, XIP启用,串行闪存与108 MHz的SPI总线接口 [128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 185 页 / 5874 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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说明
N25Q128 - 1.8 V
图39.写易失性配置寄存器指令序列
S
0
C
指令
性配置
在注册
7
高阻抗
DQ1
Write_VCR
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
DQ0
6
5
4
3
2
1
0
最高位
9.1.32
阅读挥发性增强配置寄存器
读出的挥发性增强配置寄存器( RDVECR )指令允许
挥发性配置寄存器进行读取。
图40.阅读挥发性增强配置寄存器指令序列
S
0
C
指令
DQ0
挥发性增强
配置寄存器输出
7
6
5
4
3
2
1
0
7
挥发性增强
配置寄存器输出
6
5
4
3
2
1
0
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
高阻抗
DQ1
最高位
最高位
Read_VECR
9.1.33
写挥发性增强配置寄存器
写挥发性增强型配置寄存器( WRVECR )指令允许新
值写入到易失性增强配置寄存器。之前,它可以
接受,一个写使能( WREN)指令必须先前已被执行死刑。后
写使能(WREN)指令被译码和执行时,该装置将所述写
使能锁存器( WEL ) 。如果快速上电复位时,WREN指令没有必要的,因为一个
WREN指令来获得设备从快速POR状态(见
11.1节:快速
POR ) 。
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