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N25Q128A11B1241F 参数 Datasheet PDF下载

N25Q128A11B1241F图片预览
型号: N25Q128A11B1241F
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内容描述: 128兆位, 1.8 V ,多个I / O , 4 KB的界别分组擦除引导扇区, XIP启用,串行闪存与108 MHz的SPI总线接口 [128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 185 页 / 5874 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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N25Q128 - 1.8 V
从深度掉电指令序列图43.发布
说明
S
0
C
指令
DQ0
1
2
3
4
5
6
7
t
RDP
高阻抗
DQ1
深度掉电模式
待机模式
AI13745
9.2
DIO -SPI指令
在DIO- SPI协议,指令,地址和输入/输出数据总是以并行运行
两条线: DQ0和DQ1 。
在双指令快速读取( DCFR ) ,读取OTP ( ROTP ) ,读锁定的情况下,
寄存器( RDLR ) ,读状态寄存器( RDSR ) ,读标志状态寄存器( RFSR ) ,读
NV配置寄存器( RDNVCR ) ,阅读挥发性配置寄存器( RDVCR )
阅读挥发性增强配置寄存器( RDVECR )和读取识别( RDID )
指令,则移位,在指令序列之后是一个数据输出序列。芯片
选择( S) ,可驱动高后的数据输出序列中的任何位被移出。
在一个双命令页编程( DCPP ),计划的OTP ( POTP )的情况下,分部门
擦除( SSE) ,扇区擦除( SE ) ,批量擦除( BE ) ,编程/擦除挂起( PES ) ,
编程/擦除恢复( PER ) ,写状态寄存器( WRSR ) ,清除标志寄存器的状态
( CLFSR ) ,写入锁定寄存器( WRLR ) ,写配置寄存器( WRVCR ) ,写
增强型配置寄存器( WRVECR ) ,写NV配置寄存器
( WRNVCR ) ,写使能( WREN)和写禁止( WRDI )指令,芯片选择( S)
必须驱动的高准确地在一个字节边界,否则该指令被拒绝,并且是
不执行。
所有试图在写状态寄存器周期存取存储器阵列,写不
挥发性配置寄存器,程序周期或擦除周期被忽略,
内部写状态寄存器周期,写入非易失性配置寄存器,程序
周期或擦除周期继续不受影响,唯一的例外是在编程/擦除
暂停指令(PES),其可以用于暂停所有程序和擦除循环
但程序OTP ( POT ),,批量擦除( BE )和写非易失性配置
注册。暂停的编程或擦除周期可以通过的平均恢复
编程/擦除恢复指令( PER ) 。在编程/擦除周期也投票
说明(以检查内部修改周期是由该WIP位的平均完成
状态寄存器或程序/擦除标志状态寄存器的控制位)也
接受的,当然,以允许应用程序检查内部修改周期的末尾,
这些轮询指令不影响执行内部循环。
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