128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
AC书写规范
AC书写规范
表41 ：AC编写规范
注1和2适用于所有
参数
RST ＃高回收率为WE＃低
CE＃安装到WE＃低
WE＃写脉冲宽度低
数据建立到WE＃高
地址设置到WE＃高
CE＃持有WE＃高
数据保持在WE＃高
地址保持从WE＃高
WE＃脉冲宽高
V
PP
安装到WE＃高
V
PP
持有状态读
WP ＃从状态读取召开
WP ＃安装到WE＃高
WE＃高到OE ＃低
ADV ＃低到WE＃高
WE＃高读取有效
WE ＃高到地址有效
写同步读说明书
WE＃高到CLK为高电平@ 110 MHz的
WE＃高CE ＃低
WE＃高到ADV ＃低
写规格与时钟活动
ADV ＃高到WE＃低
CLK高到WE＃ LOW
注意事项：
t
VHWL
t
CHWL
t
界河
t
WHEL
t
WHVL
符号
t
PHWL
t
ELWL
t
WLWH
t
DVWH
t
AVWH
t
WHEH
t
WHDX
t
WHAX
t
WHWL
t
VPWH
t
QVVL
t
QVBL
t
BHWH
t
WHGL
t
VLWH
t
WHQV
民
150
0
40
40
40
0
0
0
20
200
0
0
200
0
55
t
AVQV
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
+ 30
–
写操作异步读取转换
t
WHAV
15
9
7
–
–
–
–
–
27
27
ns
ns
ns
ns
ns
擦除过程1.写时序特性暂停是一样的只写操作
系统蒸发散。
2.写操作可以被终止CE＃或WE＃ 。
3.采样，而不是100 ％测试。
4.将脉冲宽度的低电平（
t
WLWH或
t
ELEH ）从CE＃定义或WE ＃ LOW （取
去年发生），以CE ＃或WE ＃ HIGH （以先到为准） 。因此，
t
WLWH =
t
ELEH =
t
WLEH
=
t
ELWH 。
5.写脉冲宽高（
t
WHWL或
t
EHEL ）从CE＃定义或WE ＃ HIGH （取
先发生），以CE ＃或WE ＃ LOW （最后以先到为准） 。因此，
t
WHWL =
t
EHEL =
t
WHEL
=
t
EHW 。
6.
t
从写周期转换到同步突发读取时界河必须得到满足。
此外CE＃或ADV ＃必须切换时， WE＃变为高电平。
7. V
PP
和WP ＃必须处于有效电平，直到擦除或编程的成功是确定的。
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师˚F 8/11 EN
73
美光科技公司保留更改产品或规格，恕不另行通知。
©
2011美光科技公司保留所有权利。
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
