128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
通用闪存接口
表46 ：系统接口信息（续）
（十六进制）
OFFSET
1Eh
长
1
描述
V
PP
[规划]供应最高纲领/
擦除电压
0-3位BCD 100mV的
4-7位十六进制伏
n
这样一个典型的Word程序超时
= 2
n
μs
n
这样典型的全缓冲写超时= 2
n
μs
地址
1Eh
（十六进制）
CODE
- -95
ASCII值
（DQ [7： 0]）的
9.5V
1Fh
20h
1
1
1Fh
20h
- -06
64µs
- -0B (256,
2048µs (256,
512兆位 -
512兆位 -
90nm的; 1024
90nm的; 1024
兆位 -
兆位 - 65纳米）
65nm)
1023µs (128,
- -0A （128 ，256， 512兆比特 -
256, 512
65nm)
兆位 -
65nm)
- -0A
- -00
- -02
1s
NA
256µs
21h
22h
23h
24h
1
1
1
1
n
这种典型的块擦除超时= 2
n
ms
n
这种典型的全芯片擦除超时= 2
n
ms
n
这样最大的Word程序超时=
2
n
时代典型
n
这样最大缓冲区写入超时= 2
n
时代典型
21h
22h
23h
24h
- -02 (256,
8192µs (256,
512兆位 -
512兆位 -
90nm的; 128 ， 90nm工艺; 128 ，256，
256, 512
512兆位 -
兆位 -
65nm)
65nm)
4096µs (1024
- -01 （ 1024兆位 - 65纳米）
兆位 -
65nm)
- -02
- -00
4s
NA
25h
26h
1
1
n
这样最大的块擦除超时= 2
n
时代典型
n
这样最大的芯片擦除超时= 2
n
时代典型
25h
26h
设备几何定义
表47 ：设备几何
（十六进制）
OFFSET
27h
长度说明
1
n
在字节= 2 ，使得设备尺寸
n
.
地址
27:
（十六进制）
CODE
ASCII值
（DQ [7： 0]）的
（第0页
)
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师˚F 8/11 EN
83
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