128MB， 256MB，512MB ，1GB的StrataFlash存储器
电气规格 - 编程/擦除特性
电气规格 - 编程/擦除特性
表42 ：编程/擦除特性
注1适用于所有
V
PPL
或V
PPH
参数
字编程
节目时间单字（第一个字）
一个字（后续字）
缓冲编程
节目时间单字
一个缓冲器（ 512字） 90纳米
(128–
512Mb)
65nm
(128–
1024Mb)
45nm
(128–
1024Mb)
缓冲增强工厂编程（ BEFP ）
节目
单字
90nm
(128–
512Mb)
65nm
(128–
1024Mb)
45nm
(128–
1024Mb)
BEFP设置
擦除和暂停
擦除时间
暂停LA-
TENCY
BLANK CHECK
主阵列
块
主阵列块
注意事项：
t
BC / MB
t
BEFP /
t
BEFP / W
t
PROG / W
t
PROG / PB
t
PROG / W
符号
民
–
典型值
115
50
最大
230
230
500
4.3
单位
µs
笔记
–
–
250
2.15
µs
ms
1.02
2.05
0.57
1.14
–
4.2
–
µs
2.0
0.93
5
–
–
µs
格局
128K字的参数
节目暂停
擦除挂起
t
ERS /人与生物圈计划
t
SUSP / P
t
SUSP / E
–
–
–
–
0.9
20
20
3.2
4
30
30
–
s
µs
µs
ms
1.典型的测量值在T
C
= 25 ° C和标称电压。性能数据
适用于所有版本的速度。不包括开销。取样，但不是100 ％测试。
2.传统的字编程：第一次和后续的字是指第一个字和
随后的话在控制模式下的编程区域。
3.平均到整个设备。 BEFP不验证在V
PPL
.
PDF ： 09005aef8448483a
128_256_512_65nm_g18.pdf - 牧师˚F 8/11 EN
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