256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
信号说明
信号说明
下面的信号说明表信号此设备fami-的完整列表
LY 。列出所有的信号不会在此设备上得到支持。看到信号分配为IN-
形成特定于该设备。
表4 ：信号说明
名字
A [最大： 0 ]
TYPE
输入
描述
地址：
选择单元阵列中的读操作期间访问。在写能操作
ations ，它们控制发送到该程序的命令接口中的命令/擦除CON-
控制器。
CHIP ENABLE ：
激活装置，使读取和写入操作被执行。
当CE＃为高电平时，器件进入待机和数据输出高-Z 。
OUTPUT ENABLE ：
控制总线读操作。
写使能：
控制命令接口的总线写操作。
V
PP
/写保护：
提供写保护功能和V
PPH
功能。这些功能
保障最低或最高挡，使器件进入解锁旁路模式，重新
spectively 。 （请参阅硬件保护和搭桥手术的细节。）
字节/字组织的选择：
x8和x16总线模式之间切换。当BYTE ＃为
低时，该装置处于x8模式;高时，该装置是在x16模式。
RESET ：
适用硬件复位到设备，这是由持有RST ＃为低电平的时间达到
至少
t
PLPX 。后RST ＃变高时，设备已准备好进行读写操作（后
t
PHEL或
t
RHEL ，最后以先到为准） 。见RESET交流规范的更多细节。
数据I / O ：
输出存储在所选择的地址的读操作期间的数据。中
WRITE操作，它们代表发送到接口的命令界面的命令
最终状态机。
数据I / O ：
一个读操作时，在输出存储在选定的地址中的数据
字节＃是高电平。当BYTE ＃为低电平时，这些引脚不使用，是高阻抗。在写
操作时，这些位不被使用。当读状态寄存器，这些位应该会忽
接异。
数据I / O或地址输入：
当设备工作在x16总线模式下，该引脚的行为与
数据I / O，与DQ在一起[ 14 ： 8 ] 。当设备工作在X8总线模式下，该引脚的行为
作为地址的最低显著位。
除非明确指出，否则， DQ15 =数据I / O（ x16模式） ; A- 1 =地址输入（ X8
模式）。
准备好忙：
漏极开路输出，可以被用来识别该设备正在执行时
编程或擦除操作。在编程或擦除操作， RY / BY ＃为低，
并且是在读模式下，自动选择模式高阻和擦除挂起模式。一个硬后
洁具复位，读写操作不能开始，直到RY / BY ＃变为高阻（见RESET
AC规格有详细介绍） 。
采用漏极开路输出使RY / BY ＃引脚从几个设备要连接
泰德到一个上拉电阻到V
CCQ
。然后低值将表明，一个（或多个）的
该设备是（有）忙。一个10K欧姆或更大的电阻被推荐为上拉电阻，以
达到0.1V V
OL
.
CE＃
OE ＃
WE＃
V
PP
/ WP ＃
输入
输入
输入
输入
BYTE ＃
RST ＃
输入
输入
DQ [7：0 ]
I / O
DQ [14： 8]
I / O
DQ15/A-1
I / O
RY / BY ＃
产量
PDF ： 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
12
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