256MB，512MB ， 1GB，2GB ： 3V嵌入式并行NOR闪存
概述
概述
该M29EW是异步的，统一的块，并行NOR闪存设备
制造65纳米多层单元（ MLC ）技术。读取，擦除和编程
使用单一的低电压源执行操作。在上电时，该设备
默认读取阵列模式。
所述主存储器阵列被划分成可被擦除independent-均匀的块
光年以便有效数据可以同时旧的数据被清除保留。编程和擦除
命令被写入存储器的命令接口。片上程序/
擦除控制器简化了编程的过程中或通过采取擦除存储器
关爱需要更新存储器内容全部专项行动。的结束
编程或擦除操作，可以检测任何错误条件可以是identi-
田间。控制设备所需的指令集是符合JEDEC待机动一致
急性呼吸窘迫综合征。
CE＃ ， OE＃和WE ＃控制设备的总线操作，使一个简单CON-
nection大多数微处理器，通常无需额外的逻辑。
该M29EW支持异步随机读取和页面的的所有块读
数组。它还具有通过编程提高了吞吐量的内部程序缓冲区
明通过一个命令序列512个字。该器件包含一个128字的延伸
这与阵列块重叠的地址为0 ，用户内存块可以设定此
额外的空间，然后保护它永久地固定的内容。该器件AL-
所以拥有不同层次的硬件和软件，以保护从保护块
多余的修饰。
图1 ：逻辑图
V
CC
V
CCQ
V
PP
/ WP ＃
15
A [最大： 0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
RST ＃
BYTE ＃
V
SS
DQ [14 ：0]
DQ15/A-1
RY / BY ＃
PDF ： 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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