256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
通用闪存接口
表25 ：系统接口信息
（十六进制）
OFFSET
1Bh
长
1
描述
V
CC
逻辑电源最低编程/擦除电压。
位0 - 3 BCD 100毫伏
位4 - 7 BCD伏
V
CC
逻辑电源最大编程/擦除电压
年龄。
位0 - 3 BCD 100毫伏
位4 - 7 BCD伏
V
PP
[编程]供应最低纲领/
擦除电压。
位0 - 3 BCD 100毫伏
位4 - 7六角伏
V
PP
[规划]供应最高纲领/
擦除电压。
位0 - 3 BCD 100毫伏
位4 - 7六角伏
“N”这样典型的单字节目时间
OUT = 2
n
μs.
“N”这样典型的全缓冲写入超时=
2
n
μs.
“N”这种典型的块擦除超时= 2
n
女士。
“N”这种典型的全芯片擦除超时= 2
n
女士。
“N” ，这样最大的Word程序超时=
2
n
时代的典型。
“N” ，使得最大缓冲区写入超时=
2
n
时代的典型。
“N” ，使得最大块擦除超时= 2
n
时代的典型。
“N” ，使得最大芯片擦除超时= 2
n
时代的典型。
地址
1Bh
（十六进制）
CODE
- -17
ASCII值
（DQ [7： 0]）的
1.7V
1Ch
1
1Ch
- -20
2.0V
1Dh
1
1Dh
- -85
8.5V
1Eh
1
1Eh
- -95
9.5V
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
1
1
1
1
1
1
1
1
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
- -09
- -0A
- -0A
- -00
- -01
- -02
- -02
- -00
512µs
1024µs
1s
NA
1024µs
4096µs
4s
NA
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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