256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
通用闪存接口
表28 ：主要供应商特定扩展查询（续）
十六进制偏移
P = 10Ah可
（P + A ）H
（P + B ）H
长
2
描述
模块状态寄存器面膜：
第2位 - 15项被保留;未定义位为0 。
位0 ：块锁定位的状态寄存器活跃。
第1位：块锁闭位状态活跃。
第4位： EFA块锁定位的状态寄存器活跃。
第5位： EFA块锁定位状态活跃。
（P + C ）H
1
V
CC
逻辑电源性能最高的节目/
擦除电压。
位0 - 3 BCD 100毫伏
4位 - 在伏7十六进制值
V
PP
最佳编程/擦除电压。
位0 - 3 BCD 100mV的
4位 - 在伏7十六进制值
1.请参阅可选功能表中的字段。
116:
地址
114:
115:
位0 = 1
位1 = 1
位4 = 0
位5 = 0
- -18
十六进制代码
- -03
- -00
ASCII值
（DQ [7： 0]）的
–
–
是的
是的
No
No
1.8V
（P + D ）H
1
117:
- -90
9.0V
注意：
表29 ：可选功能领域
分离
地址
112:
底部
–
--00
顶部
–
--00
死亡1 （B ）
40:
底部
死2 （ T）
--00
死亡1 （T ）
--40
512Mb
顶部
死2 （B ）
--00
表30 ：一次性可编程（ OTP ）空间信息
十六进制偏移
P = 10Ah可
（P + E ）H
长
1
描述
在JEDEC ID空间OTP块字段的数量。
00H表示256 OTP栏目。
地址
118:
（十六进制）
CODE
- -02
ASCII值
（DQ [7： 0]）的
2
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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