256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
通用闪存接口
表33 ：分区1区的信息：顶部和底部偏移/地址
十六进制偏移
P = 10Ah可
底部
(P+24)h
(P+25)h
(P+26)h
(P+27)h
(P+28)h
顶部
(P+24)h
(P+25)h
(P+26)h
(P+27)h
(P+28)h
地址
长
2
底部
12E:
12F:
2
1
130:
131:
132:
顶部
12E:
12F:
130:
131:
132:
描述
可选的闪光灯功能和命令
这个分区区域信息字段的数据大小
（数字可寻址的位置，包括这
科幻场。
的分区中相同的分区数
区。
允许在编程或擦除操作次数
分区：
位0 - 同步程序操作3 =数量
系统蒸发散。
位4 - 7 =同时擦除操作的数量。
同时进行编程或擦除操作允许
在其它分区中，而在这个区域中的分区是
在程序模式：
位0 - 同步程序操作3 =数量
系统蒸发散。
位4 - 7 =同时擦除操作的数量。
同时进行编程或擦除操作允许
在其它分区中，而在这个区域中的分区是
在擦除模式：
位0 - 同步程序操作3 =数量
系统蒸发散。
位4 - 7 =同时擦除操作的数量。
在这个分区区域擦除块区域的类型：
X = 0：不擦除阻塞;分区区域中删除
散装。
用连续的擦除块区域的X =数，
相同大小的擦除块。
对称受阻分区有一个阻塞
区。
分区大小= （类型1块）× （ 1型块大小） +
（类型2块） ×（类型2块的大小） + ... + （ n型
块）× （ n型块大小） 。
(P+29)h
(P+29)h
1
133:
133:
(P+2A)h
(P+2A)h
1
134:
134:
(P+2B)h
(P+2B)h
1
135:
135:
表34 ：分区1区信息
十六进制偏移
P = 10Ah可
底部/顶部
(P+2C)h
(P+2D)h
(P+2E)h
(P+2F)h
描述
可选的闪光灯功能和命令
分区区域1擦除块类型1的信息：
0-15位= Y，Y + 1 =在一个相同大小的擦除块数
分区。
位16-31 = z，其中区域擦除块（多个）大小为ZX 256字节。
地址
底部/顶部
136:
137:
138:
139:
长
4
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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