256MB和512MB （256 / 256MB ） ， P30-65nm
编程和擦除特性
编程和擦除特性
表47 ：编程和擦除技术指标
V
PPL
数
W200
符号
t
PROG / W
参数
节目
时间
节目
时间
单字
民
-
典型值
270
最大
456
民
-
传统的字编程
270
456
µs
1
V
PPH
典型值
最大
单位
笔记
缓冲编程
W250
t
PROG
排列32字， BP
时间（ 32个字）
对齐64 -WD ， BP
时间（ 64个字）
排列128 -WD ， BP
时间（ 128字）
排列256 -WD ， BP
时间（ 256字）
一个完整的缓冲区， BP
时间（ 512字）
缓冲增强工厂编程
W451
W452
W500
W501
W600
W601
W602
BLANK CHECK
W702
t
BC / MB
空白
查
主阵列块
-
3.2
-
-
3.2
-
ms
t
BEFP / B
t
BEFP / SETUP
t
ERS / PB
t
ERS / MB
t
SUSP / P
t
SUSP / E
t
ERS / SUSP
抹去
时间
暂停
潜伏期
节目
单字节
BEFP设置
32 KB的参数
128 KB的主
节目暂停
擦除挂起
擦除挂起
不适用
不适用
-
-
-
-
-
不适用
不适用
0.8
0.8
25
25
500
不适用
不适用
4.0
4.0
30
30
-
-
5
-
-
-
-
-
0.5
-
0.8
0.8
25
25
500
-
-
4.0
4.0
30
30
-
1, 3
µs
s
µs
1, 2
1
1
-
-
-
-
-
310
310
375
505
900
716
900
1140
1690
3016
-
-
-
-
-
310
310
375
505
900
716
900
1140
1690
3016
µs
1
擦除和挂起
注意事项：
1.典型的测量值在T
C
= +25 ° C和额定电压。性能数据
适用于所有版本的速度。不包括系统开销。取样，但不是100 ％测试。
2.平均值在整个设备。
3. W602是初始块擦除或擦除恢复命令之间的典型时间
在随后的擦除挂起命令。在屡次违反规范
任何特定的块擦除可能会导致擦除失败。
PDF ： 09005aef84566799
p30_65nm_256Mb - 512mb.pdf - 版本A 1/13 EN
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