MIC4123/4124/4125
电源电流与频率和电源电流与
装入配有本数据表特性曲线
有助于估计在所述驱动器功耗。操作
频率，电源电压和负载都影响电源
耗散。
给出的功率耗散在设备上，并在热
封装的电阻，结的工作温度
对于任何环境很容易计算。例如，该
8引脚E- PAS SOIC封装的热阻，从
数据表是58 ° C / W 。在25℃的室温，然后，用一
150 ° C的最高结温，这个包会
消散2.16W 。
精确的功耗数字可以通过sum-获得
明在设备功耗的三个来源：
•负载功耗（P
L
)
•静态功耗（P
Q
)
•过渡功耗（P
T
)
的负载功耗计算有所不同，这取决于
负载是电容性的，电阻性或电感性的。
阻性负载功耗
引起的电阻性负载耗散可以计算为：
P
L
= I
2
R
O
D
其中：
I =电流通过负载消耗
R
O
=驱动时的输出电阻
输出为高电平时，在所使用的电源电压
（见特性曲线）
D =的时间分数的负载导通时间（占空比）
容性负载功率耗散
引起的容性负载功耗仅仅是能量
放入或从由负载电容除去
驱动程序。存储在电容器中的能量被通过所述
公式：
E = 1/2 （C V）
2
由于这种能量是在每次丢失驱动程序中的负载被充电
或放电时，功耗的计算1/2是
删除。这个方程式也表明，这是很好的做法
不放置更多的电压在电容比是必要的，
作为耗散随着电压的施加方
到电容器。用于与容性负载的驱动器：
P
L
= F C（ V
S
)
2
其中：
F =工作频率
C =负载电容
V
S
=驱动器电源电压
感性负载功耗
对于感性负载的情况比较复杂。为
在周期的一部分，其中所述驱动器被积极地迫使
电流流入电感器，情况是一样的，因为它是在
电阻的情况下：
2005年5月
8
其中：
I
H
=
I
L
=
D=
V
S
=
静态电流与输入高
静态电流与输入低电平
时间输入的分数是高（占空比）
电源电压
P
L1
= I
2
R
O
D
麦克雷尔INC 。
然而，在该实例中第r
O
要求可以是任一的上
驾驶员的阻力时，它的输出处于高状态，或
其上的电阻当驾驶员处于低状态，这取决于
根据怎样的电感器，而这仍然只有一半
的故事。对于该周期的一部分时，电感器强制
电流通过驱动器，耗散最好被描述为
P
L2
= I V
D
(1 – D)
其中，V
D
是钳位二极管的驱动程序中的正向压降
（通常约为0.7V ） 。负载损耗的两个部分
必须被求和以产生P
L
P
L
= P
L1
+ P
L2
静态功耗
静态功耗（P
Q
，如在输入描述
部分）取决于输入是高还是低。低
输入将导致（每个驱动器）的最大电流消耗
≤0.2mA ;逻辑高将导致≤2.0mA的耗用电流。
静态功耗，因此可以得到：
P
Q
= V
S
[ D I
H
+ （ 1 - D）我
L
]
过渡功耗
转变电力消耗在每次驾驶它
输出改变状态，因为在过渡期间，为
很短的间隔内，所述的N和P沟道MOSFET在两个
输出图腾柱同时打开，并且电流
通过他们从V进行
S
到地面。过渡
功耗大约是：
P
T
= F V
S
（ A• S）
其中，（ A• s）为从图2中得到的时间 - 电流因数。
总功率（P
D
）然后，如先前所描述的仅仅是
P
D
= P
L
+ P
Q
+P
T
实例表明每个学期的相对大小。
例1： MIC4123的12V电源驱动工作
3000pF的每两个容性负载，在250kHz的操作，
以50 ％的占空比，在60 ℃的最大环境。
首先计算负载功率损耗：
P
L
= F乘C ×（ V
S
)
2
P
L
= 250,000 x (3 x 10
–9
+ 3 x 10
–9
) x 12
2
= 0.2160W
然后转换功率损耗：
P
T
= F x垂直
S
X（ A• S）
= 250,000 • 12 • 2.2 x 10
–9
= 6.6mW
然后，静态功耗：
M9999-052405
MIC [ MIC GROUP RECTIFIERS ]
