0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2007年9月 - 修订版9月28日 - 07
CFS0303-SB
典型性能
OIP3和P
1dB
与偏置在2GHz
35
OIP3
30
30
OIP3
1,2
35
OIP3和P
1dB
与我
DSQ
为1GHz
1,2
25
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
OIP3 ，P
1dB
（ dBm的）
25
20
20
15
P
1dB
10
4V
3V
5
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
15
P
1dB
10
4V
3V
2V
0
0
10
20
30
I
DSQ
（MA ）
40
50
60
5
NF和Ga与偏置在2GHz
1.6
2
22
1.6
NF和Ga与偏置为1GHz
2
22
1.4
3V
2V
4V
20
??
1.4
20
Ga
1.2
18
1.2
18
1.0
NFmin （ dB）的
NFmin （ dB）的
Ga
16
嘎（分贝）
1.0
2V
3V
4V
16
嘎（分贝）
0.8
14
0.8
14
0.6
12
0.6
12
0.4
10
0.4
10
NFmin
0.2
8
0.2
NFmin
8
0
0
0
10
20
30
IDSQ （毫安）
40
50
60
?
6
?
6
0
10
20
IDSQ （毫安）
30
40
50
60
注意事项：
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子，在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安，标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统，以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
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第17页4
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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