0.1-10.0 GHz的低噪声，中功率
pHEMT制在一个表面贴装塑料封装
2007年9月 - 修订版9月28日 - 07
CFS0303-SB
典型性能
Nfmin与频率和电流， VD = 3V
1.4
2
25
相关增益与频率和电流， VD = 3V
2
5mA
1.2
20
1
NFmin （ dB）的
10毫安
15mA
20mA
增益（dB ）
0.8
15
40mA
60mA
0.6
5mA
10毫安
0.4
10
15mA
20mA
5
0.2
40mA
60mA
0
10
0
0
2
4
频率（GHz ）
6
8
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
7
8
9
10
Nfmin和相关增益与频率和温度， VD = 3V ，IDS = 20mA下
1
22
20
18
16
嘎？
25deg
85deg
40deg
NFmin
1.05
0.9
0.75
0.6
0.45
0.3
1.5
1.35
1.2
OIP3和P1dB为与频率和温度， VDS = 3V ，IDS = 20mA下
30
1,2
25
OIP3
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
频率（GHz ）
OIP3 ， P1dB为（ DBM）
嘎（分贝）
NFmin （ dB）的
20
15
P
1dB
25deg
10
-40deg
85deg
5
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
0.15
0
注意事项：
1. P1dB的OIP3和测量无源偏置执行。 Idsq设置为零RF驱动器应用。由于P1dB的逼近，漏电流可能
增加或减少取决于频率和直流偏置点。在Idsq的较低值的设备运行在AB类模式和电流趋于上升
作为P1dB的逼近。作为一个例子，在一个的Vds = 3.0V和Idsq = 10毫安，标识增加到30毫安为16.5 P1dB的逼近。这增加电流不
不再表现为Idsq接近60毫安。
2.测量就固定调测试系统，以获得最佳噪声匹配设置。电路损耗已解嵌的实际测量值。
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电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第17页5
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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