18.0-50.0 GHz的砷化镓MMIC
分布式放大器
2007年6月 - 修订版的14军07
D1001-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该器件与单个漏极和一个增益控制操作
电压。最大增益偏差名义上是VD = 5.0V ， V G = 0V ，ID = 160毫安。增益可通过改变Vg的调整。这是
推荐使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了
最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，所述偏置
电路可以是一个单一的晶体管或低功率运算放大器，用串联的低阻值电阻与漏电
供应用于感测所述电流。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的漏极电流，因而漏
电压。需要做这种典型的栅极电压为0.0V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制
施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压可用之前
施加正的漏极电源。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD和VG）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的作为
靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF表（ TBD）
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
度摄氏
度摄氏
度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
C / W
C / W
C / W
E+
E+
E+
E+
E+
E+
偏置条件：
VD = 5.0V ，ID = 160毫安
设备原理图
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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