12.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC
图像抑制混频器
2007年9月 - 04牧师09月07
M1001-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图， pHEMT的混合器设备使用操作
独立的栅极电压VG1 。设置VG1 = -0.5V ，以获得最佳的转换损耗性能。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VG1 ）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的作为
靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
应用笔记[3] USB / LSB选择
-
最低位
USB
对上边带操作（ USB） ：
与IF1和IF2连接到
直接端口（ 0º ）和耦合端口（ 90° ）
分别如该图所示，
将USB信号将驻留在
隔离端口。输入端口必须是
装载有50欧姆。
对于下边带操作（ LSB ） ：
与IF1和IF2连接到
直接端口（ 0º ）和耦合端口（ 90° ）
分别如该图所示，
LSB的信号将驻留在所述输入
端口。隔离端口必须被加载
用50欧姆。
IF2
IF1
注意：
耦合端口，可以用作备用
但输入耦合的端口位置和
直接端口逆转。
选择USB或LSB的另一种方法：
USB
最低位
在第二阶段合
在第二阶段合
-90
o
-90
o
IF2
IF1
IF2
IF1
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