33.0-40.0 GHz的砷化镓MMIC
发射机
2005年5月 - 修订版13月-05
U1001
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置是用两个阶段并行操作。
标称偏差VD = 3V ，ID = 30毫安。功率偏置可以是高达Vd的= 5.5V，编号= 60毫安。它也建议
利用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最
再现的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，
偏置电路可以是一个单一的晶体管或低功率运算放大器，用串联的一个低值电阻器
与用于感测所述电流的漏极电源。所述的pHEMT的栅极进行控制，以保持正确的
漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.5V 。通常，所述栅极是
与硅二极管的保护，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压
以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD和VG）需要有DC旁路电容
（〜 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）也
推荐使用。
注意：
RF和IF端口AC耦合（片上DC块） 。 LO端口是直流耦合（在芯片上没有DC模块）。
MTTF表
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
84度摄氏
104度摄氏
124度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
318.0
°
C / W
-
7.63E+11
4.79E+10
3.95E+09
1.31E-03
2.09E-02
2.53E-01
偏置条件：
VD = 3.0V ，ID = 30毫安
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
159度摄氏
179度摄氏
199度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
-
314.8
°
C / W
-
1.39E+08
2.09E+07
3.67E+06
7.18E+00
4.79E+01
2.72E+02
偏置条件：
VD = 5.5V ，ID = 60毫安
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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