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CM150DU-12F 参数 Datasheet PDF下载

CM150DU-12F图片预览
型号: CM150DU-12F
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内容描述: IGBT模块大功率开关使用 [IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
文件页数/大小: 4 页 / 101 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱IGBT模块
CM150DU-12F
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
3
V
GE
= 15V
2.5
2
1.5
1
0.5
0
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
100
200
300
300
集电极电流I
C
(A)
T
j
=25°C
250
200
150
V
GE
=20V
15
11
10
9.5
9
8.5
100
50
0
8
7.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
(典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE (SAT)
(V)
续流二极管
正向特性
(典型值)
10
3
7
5
3
2
5
T
j
= 25°C
发射极电流I
E
(A)
T
j
= 25°C
4
10
2
7
5
3
2
3
I
C
= 300A
I
C
= 150A
I
C
= 60A
2
10
1
7
5
3
2
1
0
6
8
10
12
14
16
18
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容-V
CE
特征
(典型值)
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
( NF)
7
5
3
2
半桥
开关特性
(典型值)
10
3
7
5
3
2
C
IES
开关时间(纳秒)
t
D(关闭)
t
f
t
D(上)
10
1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
C
OES
C
水库
V
GE
= 0V
10
1
7
5
3
2
t
r
条件:
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 4.2Ω
T
j
= 125°C
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
0 0
10
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3 5 7
10
3
集电极电流I
C
(A)
二月
2009
3