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CM150DU-12F 参数 Datasheet PDF下载

CM150DU-12F图片预览
型号: CM150DU-12F
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内容描述: IGBT模块大功率开关使用 [IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
文件页数/大小: 4 页 / 101 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱IGBT模块
CM150DU-12F
高功率开关使用
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分& FWDI部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
IGBT部分:
5
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.24K / W
3
FWDI部分:
2
每单元基准= R
日(J -C )
= 0.47K / W
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复电流升
rr
(A)
10
2
3
2
t
rr
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J -C )
7
5
I
rr
10
1
7
5
3
2
条件:
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 4.2Ω
T
j
= 25°C
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
10
–2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
0 1
10
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间(s)
发射极电流I
E
(A)
栅极电荷
特征
(典型值)
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
C
= 150A
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
200 400 600 800 1000 1200 1400
栅极电荷q
G
( NC )
二月
2009
4