三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54566P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
描述
M54566P和M54566FP七电路集电极电流 -
同步达林顿晶体管阵列。该电路是
由PNP和NPN晶体管。无论是半导体
集成电路进行高电流驱动的EX-
tremely低输入电流供应。
引脚配置
输入
16
→O1
15
→O2
14
→O3
13
→O4
�½
产量
12
→O5
IN1- 1
IN2 → 2
IN3 → 3
IN4 → 4
IN5 → 5
IN6 → 6
IN7 → 7
GND
8
特点
高击穿电压（ BV
首席执行官
≥
50V)
高电流驱动（IC （最大值） = 400毫安）
有源L电平输入
工作温度范围宽（大= -20〜 + 75 ° C）
11
→O6
10
→O7
9
V
CC
16P4(P)
封装形式16P2N -A （ FP ）
应用
微型计算机和高压之间的接口，高
电流驱动系统，继电器和打印机驱动器，并
MOS ，双极性逻辑IC接口
电路图
V
CC
20K
输入
8K
7.2K
2.7K
产量
功能
在M54566通过加入PNP晶体管来产生
M54222的投入。具有活性的L-电平输入电路的七个
提供。
8KΩ的电阻是每个输入和PNP之间设置
三极管的基极。在输入发射极连接到V
CC
针
（ 9脚） 。输出晶体管的发射极都连接到所述
GND引脚（引脚8 ） 。
集电极电流是400毫安最大。集电极 - 发射极支持
层电压为50V最大。
这些IC是最适合的驱动有N -MOS驱动器
IC输出和吸收集电极电流。
该M54566FP被封闭在模制的小扁平封装，
实现节省空间的设计。
3K
GND
七电路共用V
CC
和GND 。
二极管，用虚线表示，是寄生的，并且不能
被使用。
单位：
Ω
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
首席执行官
I
C
V
I
P
d
T
OPR
T
英镑
参数
电源电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
输入电压
功耗
工作温度
储存温度
（除非另有说明，钽= -20〜 75
°
C)
条件
输出，H
电流每路输出，L
TA安装在船上的时候= 25° C，
评级
10
–0.5 ~ +50
400
–0.5 ~ V
CC
1.47(P)/1.00(FP)
–20 ~ +75
–55 ~ +125
单位
V
V
mA
V
W
°C
°C
1999年8月
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
