三菱半导体<TRANSISTOR ARRAY>
M54566P/FP
7 -UNIT 400毫安达林顿晶体管阵列
推荐工作条件
符号
V
CC
V
O
电源电压
输出电压
集电极电流
（每1税务局局长电流
CUIT 7时电路
将会陆续Si-所示
multaneously ）
“H”输入电压
“L”输入电压
V
CC
= 5V ，占空比
P：不超过10 ％
FP：不大于6％
V
CC
= 5V ，占空比
P：不超过30 ％
FP：不超过20 ％
参数
（除非另有说明，钽= -20〜 75
°
C)
民
4
0
0
0
V
CC
–0.2
0
范围
典型值
5
—
—
—
—
—
最大
8
50
350
单位
V
V
I
C
mA
200
V
CC
V
CC
–3
V
V
V
IH
V
IL
电气特性
符号
V
（ BR ） CEO
V
CE （SAT）
I
I
I
CC
h
FE
参数
（除非另有说明，钽= -20〜 75
°
C)
测试条件
I
首席执行官
= 100µA
V
I
= V
CC
= 3V ，我
C
= 350毫安
V
I
= V
CC
= 3V ，我
C
= 200毫安
V
I
= V
CC
–3.5V
V
CC
= 5V, V
I
= V
CC
–3.5V
V
CE
= 4V, V
CC
= 5V ，我
C
= 350mA电流TA = 25℃
范围
民
50
—
—
—
—
2000
典型值
+
—
1.1
0.9
–0.38
1.4
10000
最大
—
2.2
1.6
–0.58
3.0
—
单位
V
V
mA
mA
—
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电流
电源电流（一个线路即将上）
直流放大系数
+
：典型值是25℃，环境温度（Ta ）下进行测定。但不保证这些值是根据获得的任何
条件。
开关特性
（除非另有说明， TA = 25
°
C)
符号
t
on
t
关闭
参数
开启时间
打开-O FF时间
C
L
= 15pF的（注1 ）
测试条件
范围
民
—
—
典型值
95
2500
最大
—
—
单位
ns
ns
注1：测试电路
输入
V
CC
测
设备
V
O
时序图
输入
50%
50%
R
L
产量
产量
PG
50Ω
C
L
50%
50%
吨
花花公子
（ 1 ）脉冲发生器（ PG ）特点： PRR = 1kHz时，
TW = 10μs的， TR = 6ns的， TF =为6ns ，Z
O
= 50Ω
V
I
= 1〜 4V
（ 2 ）输入输出条件下，R
L
= 30Ω, V
O
= 10V, V
CC
= 4V
（ 3 ）静电电容C
L
包括浮动电容
连接和输入电容探头
1999年8月
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
