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PM75CSE060 参数 Datasheet PDF下载

PM75CSE060图片预览
型号: PM75CSE060
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内容描述: FLAT -BASE型绝缘包装 [FLAT-BASE TYPE INSULATED PACKAGE]
分类和应用: 运动控制电子器件信号电路电动机控制局域网
文件页数/大小: 6 页 / 148 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM75CSE060
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
系统总
参数
电源电压保护的
V
CC ( PROT )
OC & SC
V
CC (浪涌)
电源电压(浪涌)
模块操作案例
T
C
温度
储存温度
T
英镑
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 〜 16.5V ,逆变部分,
T
j
= 125°C开始
之间施加: PN ,电涌或价值,而无需切换
(Note-1)
评级
400
500
–20 ~ +100
–40 ~ +125
2500
单位
V
V
°C
°C
V
RMS
60Hz的正弦,带电部分基地, AC 1分钟。
(注1 )锝测量点,如下所示。 (底板深度3毫米)
PBT
热阻
符号
参数
测试条件
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
0.49
1.38
0.30
0.47
0.027
单位
R
日(J -C ) Q
IGBT逆变器部分(每1元) (注1 )
结到外壳热
变频器FWDI部分(每1元) (注1 )
R
日(J -C )F
抗性
R
日( J- C' ) Q
IGBT逆变器部分(每1元) (注2 )
R
日( J- C' )F
变频器FWDI部分(每1元) (注2 )
案例鳍,导热硅脂(每1个模块)应用
R
TH( C-F )
接触热阻
(注2 )T
C
测量点仅仅是芯片之下。
如果您使用此值,R
TH( F-一)
只是在芯片下应测量。
电气特性
( TJ = 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CE ( SAT )
V
EC
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
I
CES
参数
集电极 - 发射极
饱和电压
FWDI正向电压
测试条件
V
D
= 15V ,我
C
= 75A
(图1)的
V
CIN
= 0V ,脉冲
–I
C
= 75A ,V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V↔0V
V
CC
= 300V ,我
C
= 75A
T
j
= 125°C
电感性负载(上和下臂)
V
CE
= V
CES
, V
CIN
= 15V
(图4)的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
(图2)
分钟。
0.8
范围
典型值。
1.7
1.7
2.2
1.2
0.15
0.4
2.4
0.6
马克斯。
2.3
2.3
3.3
2.4
0.3
1.0
3.3
1.2
1
10
单位
V
V
开关时间
集电极 - 发射极
截止目前
B
P
N
W
V
U
63mm
Tc
° C / W
µs
(图3)的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
mA
2001年9月