三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM75CSE060
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
P
20k
≥10µ
VUP1
¡
VCC
OUT
Si
V
D
IF
UP
VUPC
≥0.1µ
In
GND GND
VCC
+
–
U
VVP1
OUT
Si
V
D
VP
VVPC
VWP1
In
GND GND
VCC
V
M
OUT
Si
V
D
20k
WP
VWPC
In
GND GND
VCC
Fo
OUT
Si
W
¡
IF
≥10µ
UN
≥0.1µ
In
GND GND
N
温度
Th
20k
¡
IF
≥10µ
VCC
VN
Fo
In
OUT
Si
≥0.1µ
20k
GND GND
VN1
≥10µ
¡
VCC
Fo
In
OUT
Si
V
D
IF
WN
≥0.1µ
VNC
GND GND
NC
NC
5V
1k
Fo
RFO
：接口是相同的U相
图。 8应用实例电路
说明对于稳定和安全运行;
设计印刷电路板图案，以尽量减少光耦合器和IPM的输入端之间的布线长度，同时还最小化了
光电耦合器的输入和输出布线之间的寄生容量。
快速光耦合器： TPLH ， TPLH
≤
0.8μs 。使用高CMR型。光电耦合器和智能模块之间的界限
应缩短尽可能以最小化寄生电容。
慢速开关光耦：建议在CTR使用= 100 〜 200 ％ ，输入电流= 8 〜 10毫安，积极工作。
使用4个隔离控制电源（V
D
） 。此外，应注意，以减少瞬时电压充电的
电源。
使DC总线线路的电感尽可能地小，并且，使用P和N之间的缓冲电容最小化浪涌电压
终奌站。
使用线噪声滤波电容器（例如： 4.7nF ）各输入交流线与接地之间，以抑制来自交流线路的共模噪声
并提高了系统的抗干扰能力。
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2001年9月
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
