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SYS82000RKXCL-10 参数 Datasheet PDF下载

SYS82000RKXCL-10图片预览
型号: SYS82000RKXCL-10
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内容描述: 2M ×8 SRAM模块 [2M x 8 SRAM MODULE]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 7 页 / 94 K
品牌: MOSAIC [ MOSAIC ]
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ISSUE 1.3 : 2001年4月
SYS82000RKXC - 85/10/12
直流工作条件
绝对最大额定值
(1)
参数
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
储存温度
注意事项:
符号
V
T
P
T
T
英镑
-0.3
-
-55
典型值
-
-
-
最大
+7
4.0
+125
单位
V
W
o
C
( 1 ) ,超出上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件超过上述的这个业务部门所标明的操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
T
AI
4.5
2.2
-0.3
0
-40
典型值
5.0
-
-
-
-
最大
5.5
Vcc+0.3
0.8
70
85
单位
V
V
V
o
C
o
C( I)
DC电气特性
(V
CC
=5V±10%)
T
A
0到70
O
C
参数
的I / P漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机电流TTL电平
-L版本
输出低电压
输出高电压
符号测试条件
I
LI
I
LO
I
CC
I
SB1
I
SB2
V
OL
V
OH
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大单位
4
4
109
12
200
0.4
-
µA
µA
mA
mA
µA
V
V
V
IN
= GND到V
CC
-4
CS = V
IH
, V
I / O
= GND到V
CC
-4
CS = V
IL
,最小周期,占空比= 100 %
-
CS = V
IH
-
CS = V
CC
-0.2V , 0.2 > V
IN
& GT ; V
CC
-0.2V -
I
OL
= 2.1毫安
-
I
OH
= -1.0mA
2.4
电容
(V
CC
=5V±10%,T
A
=25
o
C)
注:电容计算,不进行测量。
参数
输入电容( CS , A19 , A20 )
输入电容( A0-18 , OE , WE)
I / O容量
符号
C
IN1
C
IN2
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
典型值
-
-
-
最大
8
32
10
单位
pF
pF
pF
2