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SYS82000RKXCL-10 参数 Datasheet PDF下载

SYS82000RKXCL-10图片预览
型号: SYS82000RKXCL-10
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内容描述: 2M ×8 SRAM模块 [2M x 8 SRAM MODULE]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 7 页 / 94 K
品牌: MOSAIC [ MOSAIC ]
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SYS82000RKXC - 85/10/12
ISSUE 1.3 2001年4月
操作真值表
CS
H
L
L
L
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
数据引脚
高阻抗
数据输出
DATA IN
高阻抗
电源电流
I
SB1
, I
SB2
I
CC
I
CC
I
CC
模式
待机
输出禁用
注:H = V
IH
:L = V
IL
:X = V
IH
或V
IL
AC测试条件
*
输入脉冲电平:0V至3.0V
*输入上升和下降时间: 5ns的
*输入和输出时序参考电平: 1.5V
*输出负载:见下图
* V
CC
= 5V± 10%
I / O引脚
输出负载
645
1.76V
100pF
低V
cc
数据保持特性 - L型只有(T
OP
= 0 ° C至70° C)
参数
V
CC
数据保留
符号测试条件
V
DR
CS>V
CC
-0.2V
-L部分
最小典型最大
2.0
-
单位
V
µA
ns
ms
-
-
-
-
-
500
-
-
0.2V>V
in
& GT ; V
cc
-0.2
数据保持电流
I
CCDR
芯片取消到数据惩戒。时间t
CDR
手术恢复时间
t
R
V
CC
=3.0V,CS=V
CC
-0.2V,0.2V>V
in
& GT ; V
cc
-0.2
见保留波形
见保留波形
0
5
3