SYS84000RKXL-12 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SYS84000RKXL-12
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内容描述：	4M ×8 SRAM模块 [4M x 8 SRAM MODULE]
分类和应用：	存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小：	7 页 / 85 K
品牌：	MOSAIC [ MOSAIC ]

SYS84000RKX - 85/10/12

ISSUE 1.7 2001年4月

AC测试条件

输出负载

*输入脉冲电平： 0V至3.0V

*输入上升和下降时间： 5ns的

*输入和输出时序参考电平： 1.5V

*输出负载：见下图

* V

=5V±10%

I / O引脚

645

Ω

1.76V

100pF

操作真值表

数据引脚

高阻抗

无效状态

数据输出

DATA IN

高阻抗

电源电流

SB1

, I

SB2

, I

SB3

, I

SB4

CC1

模式

待机

无效

读

写

高-Z

注：H = V

：L = V

：X = V

或V

OE不能永久地接低电平。

低V

数据保持特性 - L型仅

参数

数据保留

数据保持电流

符号

CCDR1 （2）

CCDR3

CDR

测试条件

CS > V

-0.2V

= 3.0V ， CS > V

-0.2V

= 0℃至70 ℃的

= T

见保留波形

民

2.0

典型值

(1)

最大

TBA

单位

芯片取消到数据保留时间

手术恢复时间

笔记

（1 ）典型的数字是在25 ℃下测定。

（2）该参数保证不会测试。

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