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SYS84000RKXL-12 参数 Datasheet PDF下载

SYS84000RKXL-12图片预览
型号: SYS84000RKXL-12
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内容描述: 4M ×8 SRAM模块 [4M x 8 SRAM MODULE]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 7 页 / 85 K
品牌: MOSAIC [ MOSAIC ]
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ISSUE 1.7 2001年4月
SYS84000RKX - 85/10/12
写周期第二时序波形
(1,5)
t
WC
地址
t
AS(6)
t
CW
t
WR(7)
CS
t
AW
t
WP(2)
WE
t
WHZ(3,9)
t
OW
高-Z
t
DW
t
OH
(8)
(4)
CARE
DOUT
高-Z
t
DH
DIN
数据有效
AC写入特性备注
(1)所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
( 2)所有的写操作发生时CS的重叠期间和WE低。
( 3 )如果OE , CS ,而我们在这一时期的阅读模式中, I / O引脚是低阻抗状态。
相反相位的输入与输出不能被应用,因为总线争用可能发生。
(4) Dout为新的地址读取数据。
( 5 ) OE是持续较低。
( 6 )地址先于或重合有效的CS, WE低,也避免疏忽造成的写操作。
( 7 ) CS或我们必须在地址转换高。
( 8 )当CS为低电平: I / O引脚的输出状态。相反的相位领先于输入信号
输出不宜应用。
(9)定义的时间处的输出达到开路条件和没有被引用到
输出电压电平。这些参数进行采样,而不是100 %测试。
数据保存波形
VCC
4.5V
数据保持方式
4.5V
t
CDR
2.2V
t
R
2.2V
V
DR
CS >的Vcc -0.2V
0V
CS
6