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    V29C51002T-90J 参数 Datasheet PDF下载

    V29C51002T-90J图片预览
    型号： V29C51002T-90J
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2兆位262,144 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [2 MEGABIT 262,144 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用： 内存集成电路
    文件页数/大小： 16 页 / 76 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V29C51002T-90J的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29C51002T-90J的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V29C51002T-90J的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V29C51002T-90J的Datasheet PDF文件第11页浏览型号V29C51002T-90J的Datasheet PDF文件第13页浏览型号V29C51002T-90J的Datasheet PDF文件第14页浏览型号V29C51002T-90J的Datasheet PDF文件第15页浏览型号V29C51002T-90J的Datasheet PDF文件第16页  
    MOSEL VITELIC
    Byte Program Algorithm
    Write Byte-Write
    Command Sequence
    V29C51002T/V29C51002B
    Chip/Sector Erase Algorithm
    Write Erase
    Command Sequence
    Add/Data
    5555H/AAH
    Add/Data
    5555H/AAH
    2AAAH/55H
    Four Bus
    Cycle
    Sequence
    5555H/A0H
    2AAAH/55H
    5555H/80H
    Six Bus
    Cycle
    Sequence
    PA/PD
    5555H/AAH
    Data Polling or Toggle bit
    successfully completed
    or t
    WTWH (2 or 3)
    timeout
    2AAAH/55H
    Writing
    Completed
    5555H/10H (Chip Erase)
    SA/30H (Sector Erase)
    Data Polling or Toggle bit
    successfully completed
    or t
    WTWH (2 or 3)
    timeout
    Erase Completed
    51002-16
    V29C51002T/V29C51002B Rev. 2.1 October 2000
    12

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