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V53C16258SHT25 参数 Datasheet PDF下载

V53C16258SHT25图片预览
型号: V53C16258SHT25
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内容描述: 高性能256K ×16 EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 [HIGH PERFORMANCE 256K X 16 EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 560 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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MO SEL VITELIC  
V53C16258H  
AC Characteristics (Cont’d)  
25  
(100 MHz)  
30  
35  
40  
45  
50  
#
Symbol Parameter  
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Unit Notes  
29  
30  
t
t
Write Pulse Width  
4
5
5
5
6
7
ns  
ns  
WP  
Write Command Hold Time from 19  
RAS  
23  
25  
30  
35  
40  
WCR  
31  
t
Write Command to RAS Lead  
Time  
7
9
10  
10  
13  
14  
ns  
RWL  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
t
t
t
t
t
t
Data in Setup Time  
0
4
0
5
0
5
0
5
0
6
0
7
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
14  
14  
14  
14  
DS  
Data in Hold Time  
DH  
Write to OE Hold Time  
OE to Data Delay Time  
Read-Modify-Write Cycle Time  
5
5
5
6
7
8
WOH  
OED  
RWC  
RRW  
5
5
5
6
7
8
67  
46  
79  
53  
90  
59  
95  
64  
115  
80  
130  
87  
Read-Modify-Write Cycle RAS  
Pulse Width  
38  
39  
t
t
CAS to WE Delay  
19  
36  
21  
41  
23  
46  
25  
51  
32  
62  
34  
68  
ns  
ns  
12  
12  
CWD  
RWD  
RAS to WE Delay in Read-  
Modify-Write Cycle  
40  
41  
42  
t
t
t
CAS Pulse Width (RMW)  
Col. Address to WE Delay  
27  
24  
10  
31  
27  
12  
34  
29  
14  
38  
31  
15  
50  
41  
17  
52  
42  
19  
ns  
ns  
ns  
CRW  
AWD  
PC  
12  
EDO Fast Page Mode Read or  
Write Cycle Time  
43  
44  
t
t
CAS Precharge Time  
3
3
4
5
6
7
ns  
ns  
CP  
Column Address to RAS Setup  
Time  
13  
16  
18  
20  
22  
24  
CAR  
45  
46  
47  
t
t
t
Access Time from Column  
Precharge  
15  
18  
20  
22  
25  
27  
ns  
ns  
ns  
7
CAP  
DHR  
CSR  
Data in Hold Time Referenced  
to RAS  
19  
5
23  
7
25  
8
30  
10  
35  
10  
40  
10  
CAS Setup Time CAS-before-  
RAS Refresh  
48  
49  
t
t
RAS to CAS Precharge Time  
0
6
0
7
0
8
0
8
0
0
ns  
ns  
RPC  
CAS Hold Time CAS-before-  
RAS Refresh  
10  
10  
CHR  
50  
t
EDO Page Mode  
35  
40  
43  
47  
65  
70  
ns  
PCM  
Read-Modify-Write Cycle Time  
51  
52  
t
t
Output Hold After CAS Low  
4
3
5
3
5
3
5
3
5
5
5
5
ns  
ns  
COH  
OE Low to CAS High Setup  
Time  
OES  
53  
t
OE Hold Time from WE during  
Read-Modify Write Cycle  
5
5
5
5
10  
10  
ns  
OEH  
V53C16258H Rev. 3.8 November 1999  
6