茂矽
表2.命令代码
第一巴士
项目周期
命令
顺序
读
读
自选
地址
XXXXH
5555H
5555H
数据
F0H
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
5555H
F0H
90H
RA
00H
01H
RD
40H
第二巴士
项目周期
地址
数据
第三巴士
项目周期
地址
数据
四巴士
项目周期
地址
数据
V29C51000T/V29C51000B
第五公交车
项目周期
地址
数据
六总线
项目周期
地址
数据
00H
(1)
A0H
(2)
PD(4)
字节
节目
芯片擦除
5555H
AAH
2AAAH
55H
5555H
A0H
PA
5555H
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
5555H
80H
80H
5555H
5555H
AAH
AAH
2AAAH
2AAAH
55H
55H
5555H
PA(3)
10H
30H
扇区擦除5555H
注意事项：
1.上引导扇区
2.底部引导扇区
3. PA：所述存储器位置的地址进行编程。
4. PD：在字节地址中的数据进行编程。
该设备将忽略任何程序试图进入
装置。内部擦除操作完成即可
通过数据轮询或切换位来确定。
该V29C51000T / V29C51000B随
预擦除扇区（所有位= 1）。
试图读取设备将接收到的
我上加载的数据补/ O
7
。一旦
项目周期完成后， I / O
7
会表现出真正的
数据，并且设备然后准备进行下一次
周期。
芯片擦除周期
该V29C51000T / V29C51000B有削片
擦除操作。该芯片擦除操作
通过使用特定的6总线周期开始
顺序：两个解锁程序周期，一个安装
命令，两个额外的解锁程序周期，
与芯片擦除命令（见表2）。
执行芯片擦除操作
顺序地，一个扇区的时间。当
自动对芯片擦除算法要求
与芯片擦除命令序列，该装置
自动计划和验证整个
为擦除前的全零模式存储器阵列
自动擦除开始的上升沿
在命令序列中最后WE或CE脉冲
和终止时，对DQ7的数据为“ 1”。
切换位（ I / O
6
)
该V29C51000T / V29C51000B还具有
另一种方法，用于确定所述端
项目周期。当该装置是在程序
周期，任何尝试读取器件将导致
升/ O
6
0. 1至切换一旦程序
完成后，触发将停止。该装置是再
准备下一次操作。检查切换
比特可以在一个编程周期开始，在任何时间。
引导块保护
该V29C51000T / V29C51000B功能
硬件引导块保护。此功能将
防止擦除/数据编程的引导
一旦启用该功能块（见表3 ） 。
该设备出厂时的引导块
不受保护的。
程序循环状态检测
有两种方法用于确定状态
期间的V29C51000T / V29C51000B的
程序（擦除/编程）周期：数据查询
（ I / O
7
），并触发位（ I / O
6
).
自选
该V29C51000T / V29C51000B设有一个
自选模式来识别
引导块
（保护/未受保护的） ，设备（顶部/底部） ，
和制造商ID 。
去自动选择模式，高电压
(V
H
）必须被施加到A
9
引脚。当出现A
9
信号返回到低电平或高电平时，器件将
返回到先前的模式。
10
数据轮询（ I / O
7
)
该V29C51000T / V29C51000B特征的数据
轮询，以指示一个程序循环的结束。
当该装置是在该程序循环中，任何
2000 V29C51000T / V29C51000B版本0.5月
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
