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    V29C51000B 参数 Datasheet PDF下载

    V29C51000B图片预览
    型号： V29C51000B
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    内容描述： 512K位65,536 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [512K BIT 65,536 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 77 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V29C51000B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V29C51000B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V29C51000B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V29C51000B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V29C51000B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29C51000B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V29C51000B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V29C51000B的Datasheet PDF文件第11页  
    茂矽
    汉英对照 - 编程周期的波形
    t
    WC
    地址
    5555H
    PA
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    AS
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    AH
    WE
    PA
    (1)
    V29C51000T/V29C51000B
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    RC
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    51000-09
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    WHWH1
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    DF
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    OE
    擦除周期波形
    (1)
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    地址
    5555H
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    2AAAH
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    AAH
    55H
    80H
    AAH
    55H
    t
    WPH
    10H FOR
    芯片擦除
    30H
    51000-10
    注意事项：
    1. PA：所述存储器位置的地址进行编程。
    2. PD：在字节地址中的数据进行编程。
    3. SA ：扇区地址的扇区擦除。地址=不关心芯片擦除。
    2000 V29C51000T / V29C51000B版本0.5月
    7

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