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    V436632Z24VXTG-75 参数 Datasheet PDF下载

    V436632Z24VXTG-75图片预览
    型号： V436632Z24VXTG-75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3伏32M ×64的高性能133 MHz的SDRAM SODIMM UNBUFFERED [3.3 VOLT 32M x 64 HIGH PERFORMANCE 133 MHZ SDRAM UNBUFFERED SODIMM]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 275 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V436632Z24VXTG-75的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V436632Z24VXTG-75的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V436632Z24VXTG-75的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V436632Z24VXTG-75的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V436632Z24VXTG-75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V436632Z24VXTG-75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V436632Z24VXTG-75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V436632Z24VXTG-75的Datasheet PDF文件第9页  
    V436632Z24V
    CILETIV LESO M
    SPD-表
    字节
    数
    28
    十六进制值
    函数来描述
    最小行主动向行主动延迟
    t
    RRD
    最低RAS到CAS延迟时间T.
    RCD
    最低RAS脉冲宽度t
    RAS
    模块库密度（每行）
    SDRAM的输入建立时间
    SDRAM的输入保持时间
    SDRAM的数据输入建立时间
    SDRAM的数据输入保持时间
    超集信息（可能是Fu-使用
    TURE ）
    SPD修订
    校验和字节0 - 62
    制造商的JEDEC的ID代码
    制造商的JEDEC的ID代码（续）
    生产地点
    模块部件号（ ASCII ）
    PCB识别码
    装配制造日期（年）
    组装生产日期（周）
    装配序列号
    1 =美国，2 =台湾
    V436632Z24V
    目前PCB版本
    二进制编码年（ BCD ）
    二进制编码的周（ BCD ）
    字节95 = LSB ，字节= 98
    最高位
    00
    64
    00
    00
    00
    64
    00
    00
    00
    64
    00
    00
    茂矽
    修订版2 / 1.2
    SPD项值
    14纳秒/ 15纳秒/ 16纳秒
    -75PC
    0E
    -75
    0F
    -10PC
    10
    29
    30
    31
    32
    33
    34
    35
    62-61
    15纳秒/ 20纳秒
    42纳秒/ 45纳秒
    256兆字节
    1.5纳秒/ 2.0纳秒
    0.8纳秒/ 1.0纳秒
    1.5纳秒/ 2.0纳秒
    0.8纳秒/ 1.0纳秒
    0F
    2A
    40
    15
    08
    15
    08
    00
    14
    2D
    40
    15
    08
    15
    08
    00
    14
    2D
    40
    20
    10
    20
    10
    00
    62
    63
    64
    65-71
    72
    73-90
    91-92
    93
    94
    95-98
    02
    FD
    40
    00
    02
    42
    40
    00
    12
    B0
    40
    00
    99-125
    126
    127
    128+
    版权所有
    英特尔规范频率
    版权所有
    未使用的存储位置
    V436632Z24V 1.1修订版2002年2月
    5

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