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V53C808H 参数 Datasheet PDF下载

V53C808H图片预览
型号: V53C808H
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 高性能1M ×8位EDO页模式的CMOS动态RAM可选自刷新 [HIGH PERFORMANCE 1M x 8 BIT EDO PAGE MODE CMOS DYNAMIC RAM OPTIONAL SELF REFRESH]
分类和应用:
文件页数/大小: 18 页 / 138 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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茂矽
AC特性
T
A
= 0℃至70℃ ,V
CC
= 5 V
±10%,
V
SS
= 0V ,除非另有说明
AC测试条件下,输入脉冲电平0〜 3V
35
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
V53C808H
40
45
50
笔记
符号
t
RAS
t
RC
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
RCS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RSH (R)的
t
CRP
t
RCH
t
RRH
t
ROH
t
OAC
t
CAC
t
RAC
t
CAA
t
LZ
t
HZ
t
AR
t
拉德
t
RSH (W)的
t
CWL
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCR
t
RWL
参数
RAS脉冲宽度
读或写周期时间
RAS预充电时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS延迟
READ命令设置时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
RAS保持时间(读周期)
CAS到RAS预充电时间
读命令保持时间
参考CAS
读命令保持时间
参考RAS
RAS保持时间参考OE
从OE访问时间
从CAS访问时间( EDO )
从RAS访问时间
从列地址访问时间
CAS为低-Z输出
输出缓冲关断延迟时间
列地址保持时间从RAS
RAS到列地址的延迟时间
RAS或CAS保持时间在写周期
写命令到CAS交货期
写命令设置时间
写命令保持时间
把脉冲宽度
写命令保持时间从RAS
写命令到RAS交货期
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
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70
25
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0
0
6
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0
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7
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5
0
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5
0
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9
0
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5
0
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0
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0
0
30
12
12
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0
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0
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ns
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ns
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ns
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ns
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6, 7
6, 8, 9
6, 7, 10
16
16
V53C808H 1.5修订版1998年4月
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