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    V61C518256-12T 参数 Datasheet PDF下载

    V61C518256-12T图片预览
    型号： V61C518256-12T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32K ×8的高速静态RAM [32K X 8 HIGH SPEED STATIC RAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 61 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V61C518256-12T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V61C518256-12T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V61C518256-12T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V61C518256-12T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V61C518256-12T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V61C518256-12T的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V61C518256-12T的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V61C518256-12T的Datasheet PDF文件第9页  
    茂矽
    DC电气特性
    （在所有温度范围内，V
    CC
    = 5V
    ±
    10%)
    符号
    V
    IL
    V
    IH
    I
    IL
    I
    OL
    V
    OL
    V
    OH
    V61C518256
    参数
    输入低电压
    (1,2)
    输入高电压
    (1)
    输入漏电流
    输出漏电流
    输出低电压
    输出高电压
    测试条件
    分钟。
    -0.5
    2.2
    典型值。
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    马克斯。
    0.8
    6
    5
    5
    0.4
    —
    单位
    V
    V
    m
    A
    m
    A
    V
    V
    V
    CC
    =最大，V
    IN
    = 0V至V
    CC
    V
    CC
    =最大，CE = V
    IH
    , V
    OUT
    = 0V至V
    CC
    V
    CC
    =最小，我
    OL
    = 8毫安
    V
    CC
    =最小，我
    OH
    = -4mA
    -5
    -5
    —
    2.4
    符号
    I
    CC1
    I
    SB
    I
    SB1
    参数
    平均工作电流， CE
    £
    V
    IL
    输出开路，
    V
    CC
    =最大值，女= F
    MAX(3)
    TTL待机电流
    CE
    ³
    V
    IH
    , V
    CC
    =最大。
    CMOS待机电流， CE
    ³
    V
    CC
    – 0.2V,
    V
    IN
    ³
    V
    CC
    - 0.2V或V
    IN
    £
    0.2V, V
    CC
    =最大。
    COM 。
    (4)
    110
    IND 。
    130
    单位
    mA
    25
    40
    mA
    1
    2
    mA
    注意事项：
    1.这是相对于地面设备包括绝对值和所有因系统或测试噪音过冲。
    2. V
    IL
    （分钟） = -3.0V脉冲宽度< 20ns的。
    3. f
    最大
    = 1/t
    RC
    .
    4.最大的值。
    V61C518256 0.3修订版1998年7月
    4

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