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V62C1162048L(L)-120B 参数 Datasheet PDF下载

V62C1162048L(L)-120B图片预览
型号: V62C1162048L(L)-120B
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内容描述: 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM [Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 110 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C1162048L(L)
读周期1的时序波形
(地址控制)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
t
AA
数据有效
以前的数据有效
读周期2时序波形
t
RC
地址
t
AA
CE
t
ACE
t
LZ(4,5)
t
BA
t
BLZ(4,5)
t
OE
高-Z
t
OLZ
t
HZ(3,4,5)
t
BHZ(3,4,5)
( BLE / BHE )
t
OHZ
t
OH
数据有效
OE
数据输出
笔记
(读周期)
1.我们的高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3.
t
HZ
t
OHZ
被定义为在所述输出达到参考V开路状态的时间
OH
或V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件
t
HZ
(最大)小于
t
LZ
(分钟)都对于给定的设备和从设备到
装置。
5.转变是从稳态电压与负载测量+ 200mV的。这个参数进行采样,而不是100 %测试。
6.设备,不间断地与CE = V选择
IL
.
7.地址有效之前,暗合了CE过渡低。
8.对于通用I / O的应用,尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读取和写入
周期。
9.对于测试环境,请见
AC测试条件,
图A.
6
修订版1.2
五月
2001年V62C1162048L ( L)