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    V62C1162048L(L)-120B 参数 Datasheet PDF下载

    V62C1162048L(L)-120B图片预览
    型号： V62C1162048L(L)-120B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 超低功耗128K ×16的CMOS SRAM [Ultra Low Power 128K x 16 CMOS SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 110 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V62C1162048L(L)-120B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V62C1162048L(L)-120B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V62C1162048L(L)-120B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V62C1162048L(L)-120B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V62C1162048L(L)-120B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V62C1162048L(L)-120B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V62C1162048L(L)-120B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V62C1162048L(L)-120B的Datasheet PDF文件第11页  
    V62C1162048L(L)
    笔记
    （写周期）
    所有的写定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
    低CE和WE的重叠期间发生写入。一开始写在CE中的最新过渡，我们要
    低：写结束于CE变为高电平之间最早过渡，我们要高。
    t
    WP
    从开始测量
    的写操作的写操作的结束。
    3.
    t
    CW
    从CE的购买要低写入的结束测量。
    4.
    t
    AS
    从地址有效到写的开始测量的。
    5.
    t
    WR
    从写入地址变更的端部测量的。
    6.如果OE ， CE和我们在阅读模式，在此期间，该I / O引脚输出低电平-Z状态。
    的输出的相位相反的输入必须不能应用，因为总线争用可能发生。
    7.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读和
    写周期。
    8.如果CE同时变低，我们是否低，或WE变低​​后，输出保持高阻态。
    9. D
    OUT
    是新的地址的读数据。
    10.当CE为低电平： I / O引脚的输出状态。在相反的相位与输入信号通往输出应
    不适用。
    11.对于测试环境，请见
    AC测试条件，
    图A.
    1.
    2.
    8
    修订版1.2
    五月
    2001年V62C1162048L （ L）

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