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MC68HC11E1CFN3 参数 Datasheet PDF下载

MC68HC11E1CFN3图片预览
型号: MC68HC11E1CFN3
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内容描述: 8通道, 8位模 - 数(A / D)转换器 [8-channel, 8-bit analog-to-digital (A/D) converter]
分类和应用: 转换器微控制器和处理器外围集成电路
文件页数/大小: 268 页 / 3560 K
品牌: MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
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飞思卡尔半导体公司
操作模式和片上存储器
2.3.1内存和输入/输出映射
硬件优先级内置RAM和I / O映射。寄存器具有优先权
RAM和RAM优先于ROM中。当一个低优先级的资源映射
在相同的位置具有较高优先级的资源,的位置的结果的读/写
仅在较高优先级的资源的一个读/写。例如,如果两个寄存器
块和RAM被映射到相同的位置,只在寄存器块将
访问。如果RAM和ROM都位于相同的位置, RAM有优先权。
完全静态RAM可用于存储指令,变量和临时
数据。直接寻址模式可以用1个字节的RAM访问地点
处理的操作数,从而节省程序存储空间和执行时间,这取决于
上的应用程序。
RAM中的内容可以在处理器闲置了两个时期保存
的方法,这两者都降低了功耗。他们是:
1.在基于软件的停止模式下,时钟停止,而V
DD
权力
该MCU。因为电源电流直接相关的操作
频率在CMOS集成电路中,只有极少量的泄漏
当时钟停止存在。
2,在第二方法中, MODB / v
STBY
引脚可以从RAM供电电源
备用电池或从第二电源。
示出了一个典型的
备用电压的电路为一个标准的5伏设备。调整
电路必须为在较低的电压下工作的设备进行。使用
MODB / V
STBY
脚可能需要外部硬件,但也可能是正当的时候
一个显著数量的外部电路从V操作
DD
。如果V
STBY
is
用来维持RAM内容,复位必须保持低电平时V
DD
is
以下正常工作的水平。请参阅
V
DD
最大
690
V
DD
4.7 k
V
OUT
4.8-V
镍镉电池
V
BATT
+
TO MODB / V
STBY
M68HC11的
飞思卡尔半导体公司...
图2-8 。 RAM待机MODB / V
STBY
连接
该引导程序包含在内部引导ROM 。这个ROM ,
它出现在地址$ BF00- $ BFFF作为内部存储器空间,使能
只有当MCU复位的特殊的启动模式。
数据表
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操作模式和片上存储器
M68HC11E家庭 - 启示录5
摩托罗拉
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