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TIP110 参数 Datasheet PDF下载

TIP110图片预览
型号: TIP110
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内容描述: 达林顿2安培互补硅功率晶体管 [DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 272 K
品牌: MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
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TIP110 TIP111 TIP112 TIP115 TIP116 TIP117
R(T ) ,瞬态热阻
(归一化)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
P( PK)
Z
θJC (T )
= R(T )R
θJC
R
θJC
= 2.5 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ ( PK) - TC = P ( PK )z
θJC (T )
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨,时间( ms)的
10
20
50
100
200
500
1.0 k
图4.热响应
有源区的安全工作区
10
IC ,集电极电流( AMPS )
4.0
1毫秒
2.0
1.0
5毫秒
TJ = 150℃
dc
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C (单脉冲)
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
TIP115
TIP116
TIP117
IC ,集电极电流( AMPS )
10
4.0
2.0
1.0
TJ = 150℃
dc
键合丝有限公司
限热
@ TC = 25°C (单脉冲)
二次击穿有限公司
曲线适用BELOW
额定VCEO
0.1
1.0
TIP110
TIP111
TIP112
0.1
1.0
40 60 80 100
10
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
60 80 100
10
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图5. TIP115 , 116 , 117
图6. TIP110 , 111 , 112
200
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管:平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管;
即,晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5和图6的数据是基于TJ (峰) = 150
_
C;
T C是可变根据条件。二次击穿
脉冲限制的有效期为占空比为10 %,提供的TJ ( PK)
& LT ; 150
_
C. TJ ( pk)的可从数据在图4中计算。
在高温情况下,热限制将减少
可处理到值小于限制功率
通过二次击穿的罚款。
TC = 25°C
C,电容(pF )
100
70
50
COB
30
20
PNP
NPN
10
0.04 0.06 0.1
0.2 0.4 0.6 1.0
2.0 4.0 6.0 10
VR ,反向电压(伏)
20
40
兴业银行
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3