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TIP110 参数 Datasheet PDF下载

TIP110图片预览
型号: TIP110
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内容描述: 达林顿2安培互补硅功率晶体管 [DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 6 页 / 272 K
品牌: MOTOROLA [ MOTOROLA, INC ]
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TIP110 TIP111 TIP112 TIP115 TIP116 TIP117
NPN
TIP110 , 111 , 112
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
*适用于IC / IB
hFE/3
θ
V,温度系数(MV /
°
C)
+ 0.8
0
– 0.8
– 1.6
– 2.4
– 3.2
θ
VC的VBE
– 4.0
– 4.8
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
*
θ
VC的VCE (SAT)
- 55 ° C至25°C时
25 ℃〜150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
25 ℃〜150 ℃的
+ 0.8
0
– 0.8
– 1.6
– 2.4
– 3.2
– 4.0
θ
VC的VBE
*
θ
VC的VCE (SAT)
- 55 ° C至25°C时
25 ℃〜150 ℃的
- 55 ° C至25°C时
25 ℃〜150 ℃的
PNP
TIP115 , 116 , 117
*适用于IC / IB
hFE/3
1.0
2.0
4.0
– 4.8
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
4.0
IC ,集电极电流( AMP )
IC ,集电极电流( AMP )
图11.温度系数
105
IC ,集电极电流(
µ
A)
IC ,集电极电流(
µ
A)
104
103
102
TJ = 150℃
101
100
100°C
反向
前锋
105
反向
104
103
102
101
100
TJ = 150℃
100°C
VCE = 30 V
前锋
VCE = 30 V
25°C
–1
10
– 0.6 – 0.4 – 0.2
0
+ 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 + 1.0 + 1.2 + 1.4
25°C
10–1
– 0.6 – 0.4 – 0.2
0
+ 0.2 + 0.4 + 0.6 + 0.8 + 1.0 + 1.2 + 1.4
VBE ,基极发射极电压(伏)
VBE ,基极发射极电压(伏)
图12.集电极截止区
测试电路
VCE监控
输入
电压
RBB1
2 kΩ
50
50
VBB1 = 10 V
+
VBB2 = 0
RBB2
100
RS =
0.1
集热器
电压
20 V
注一:输入脉冲宽度增加,直到ICM = 0.71 ,
如图NPN试验;对于PNP测试
所有的反向极性和使用MJE224驱动程序。
VCE ( SAT )
100毫亨
TUT
VCC = 20 V
IC
MONITOR
+
集热器
当前
电压和电流波形
tw
3.5毫秒(见注一)
0V
–5 V
100毫秒
0.71 A
0V
VCER
输入
MJE254
图13.感应负载开关
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5