硅双极MMIC放大器级联
MP4TD1110
绝对最大额定值
1
参数
绝对最大
器件的电流
90毫安
功耗
2,3
560毫瓦
RF输入功率
+20 dBm的
结温
200°C
储存温度
-65 ° C到+ 200℃
热阻：
θ
jc
= 135 ° C / W
1.超出这些限制可能会造成永久性的损害。
2.外壳温度（Tc） = 25
°C.
3.减额在7.4毫瓦/ ℃，锝> 124 ℃。
IN
C（ DC挡）
典型偏置配置
RBIAS
VCC > 7.5 V
VCC - Vd的
ID =
RBIAS
RFC （可选）
4
C（ DC挡）
3
MP4TD1110
1
VD = 5.5 V
OUT
2
典型性能曲线@编号= 60 mA时， TA = + 25 ° C（除非另有说明）
器件电流VS器件电压
100
ID，设备电流（mA）
0
-2
80
回波损耗（分贝）
-4
-6
-8
-1 0
-1 2
-1 4
-1 6
-1 8
0
0
1
2
3
4
5
6
V D， D E V IC è V Ø L T A G E（ V）
-2 0
0 .1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
在P ü吨
Ø ü TPU牛逼
回波损耗与频率
60
40
20
功率增益VS电流
14
13
12
11
增益（dB ）
10
9
8
7
6
5
4
0
20
40
60
80
100
ID ， D E VIC权证ü R R简T（米A）
10
F = 2 0.0摹ħ ž
F = 1.0摹ħ ž
F = 0 。1G ħ ž
F = 0 0.5摹ħ ž
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
20
18
16
14
12
22
P
OUT
@ 1分贝增益压缩
与频率
ID = 7 5m的
ID = 6 0为m的
0 .1
1
由于F R ê Q ü简ç ÿ （G ^ h Z）
10
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲微波
PH （ 408 ） 432-1480
__________________________________________________________________________________
2
FX （ 408 ） 432-3440
MPLUSE [ M-PULSE MICROWAVE INC. ]
