NT5TU256M4GE / NT5TU128M8GE / NT5TU64M16GG
1GB DDR2 SDRAM
输入/输出功能描述
符号
TYPE
功能
时钟：
CK和
是差分时钟输入。所有地址和控制输入信号进行采样
CK ，
输入
在CK的上升沿和下降沿的交叉
.
输出（读出）的数据是
参考对照的交叉和
（两个交叉的方向） 。
时钟使能：
CKE高激活，并且CKE低停用，内部时钟信号和设备
同步进行断电进入和退出和自刷新条目。 CKE是异步的
CKE
输入
自刷新退出。 V后
REF
上的电源和初始化序列期间已经稳定，则
必须保持所述CKE接收机的正常操作。对于正确的自我更新和录入
退出，V
REF
必须保持该输入。 CKE必须保持高通量读写
访问。输入缓冲器，但不包括CK ，
,
ODT和CKE是在断电禁用。输入
片选：
所有的命令都被屏蔽时，
注册HIGH 。
提供了使用外部排名
输入
选择与多重记忆系统的行列。
被认为是命令代码的一部分。
DM ， LDM ， UDM
输入
BA0 - BA2
输入
预充电命令被应用。银行地址也确定了模式寄存器或
讯
合
A0 – A13
输入
预充电适用于一家银行（ A10 =低）或所有银行（ A10 =高） 。如果只有一个银行是要
预充电，该行被选中BA0 - BA2 。地址输入期间也提供了操作码
只有X8组件模式寄存器设置commands.A13行地址的使用。
圳
深
DQ
市
金
输入/输出
DQS （ ）
在DQ8 - DQ15数据。该数据选通信号DQS ， LDQS ， UDQS和RDQS可以在单一使用
LDQS ， （ ）
UDQS ， （ ）
差分对的信号到系统中读取和写入操作。一个EMRS （ 1 ）控制位
启用或禁用的补充数据选通信号。
输入/输出
端模式或搭配可选的互补信号
, ,
提供
科
技
有
扩展模式寄存器中一个MRS或EMRS周期要被访问。
地址输入：
提供行地址激活命令和列地址和
自动预充电或读/写命令，选择一个位置出来，在存储器阵列的
各银行。一个预充电命令中的A10进行采样，以确定是否
数据输入/输出：
双向数据总线。
数据选通：
输出读取数据，输入与写入数据。与读数据边沿对齐，居中对齐
与写入数据。对于x16的， LDQS对应于DQ0数据 - DQ7 ; UDQS对应
限
公
银行地址输入：
BA0 ， BA1 ， BA2 ，并确定哪个银行的积极，读，写或
司
X8设备， DM或RDQS的功能/
由EMRS命令启用。
，
的DQS 。虽然DM引脚的输入而已， DM负载相匹配的DQ和DQS装载。为
18
在写访问的高采样暗合了输入数据。 DM进行采样两边
66
输入数据掩码：
DM为输入掩码信号为写入数据。当DM是输入数据被屏蔽
43
, ,
输入
输入命令：
,
和
（随着
)
定义所输入的命令。
41
58
5，
缓冲区，不包括CKE ，是在自刷新禁用。
QQ
：
71
44
51
8
自刷新操作（所有银行闲置） ，或Active掉电（行活动在任何一家银行） 。 CKE是
19
输入缓冲器和输出驱动器。以CKE低提供预充电掉电和
6
1.0版
十二月/ 2009
消费者DRAM
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