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    N08L163WC2C 参数 Datasheet PDF下载

    N08L163WC2C图片预览
    型号： N08L163WC2C
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 8MB超低功耗异步SRAM CMOS 512K 】 16位 [8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K 】 16 bit]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 243 K
    品牌： NANOAMP [ NANOAMP SOLUTIONS, INC. ]
     浏览型号N08L163WC2C的Datasheet PDF文件第1页浏览型号N08L163WC2C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号N08L163WC2C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号N08L163WC2C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号N08L163WC2C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N08L163WC2C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N08L163WC2C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N08L163WC2C的Datasheet PDF文件第9页  
    N08L163WC2C
    纳安解决方案公司
    数据保持特性
    参数
    V
    DR
    I
    CCDR
    t
    CDR
    t
    R
    描述
    VCC为数据保留
    数据保持电流
    芯片取消到数据
    保留时间
    手术恢复时间
    VCC = 1.5V ， CE
    ≥
    VCC - 0.2V ，
    VIN
    ≥
    VCC - 0.2V和VIN
    ≤
    0.2V
    -L
    0
    t
    RC
    条件
    民
    1.5
    10
    4
    典型值
    最大
    单位
    V
    µA
    ns
    ns
    超前信息
    数据保存波形
    数据保持方式
    VCC
    VCC（分钟）
    t
    CDR
    CE1或
    LB / UB
    or
    CE2
    VDR
    ≥
    1.5V
    VCC（分钟）
    t
    R
    注：全装置的操作需要线性斜坡的Vcc从VDR到Vcc （分钟） > 100微秒
    库存号23380 -C
    此设备的规格如有变更，恕不另行通知。对于最新的文档，请参见http://www.nanoamp.com 。
    7

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